[發明專利]操作非易失性存儲裝置的方法和集成電路存儲系統

有效

• 申請號: 201310206487.4
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103456361B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 李知尚;金武星;崔奇煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 王艷嬌,王秀君

本申請要求于2012年5月29日提交到韓國知識產權局的第10-2012-0056641號韓國專利申請和于2013年2月26日提交的第13/777,512號美國專利申請的優先權，該申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

本發明涉及存儲裝置以及操作該存儲裝置的方法，更具體地講，涉及非易失性存儲裝置以及操作該非易失性存儲裝置的方法。

背景技術

半導體存儲裝置可以是易失性的或非易失性的。非易失性半導體存儲裝置即使在斷電時也可保持在其中存儲的數據。根據使用的制造技術，非易失性存儲裝置可以是永久的或可重新編程的。非易失性存儲裝置可被用于計算機、航空電子、電信和消費電子產業中的多種應用中的用戶數據、程序和微碼存儲。

發明內容

操作非易失性存儲裝置的方法利用編程操作的多個方面以幫助在多位非易失性存儲單元中的后編程差錯檢測。這些差錯檢測操作可包括識別在存儲裝置中的已進行從擦除的狀態到至少部分編程的狀態的無意的編程的一個或多個多位非易失性存儲單元。

根據本發明的一些實施例，可通過執行多個讀取操作以產生差錯檢測數據并且隨后對差錯檢測數據進行解碼以識別在其中具有差錯的特定單元，來檢測在對非易失性存儲裝置中的第一多個多位非易失性存儲單元進行編程的操作期間產生的差錯。例如，在編程操作期間更改的強迫位數據矢量和編程的第一多個多位非易失性存儲單元可被讀取以支持差錯檢測。該讀取的信息以及從與第一多個多位非易失性存儲單元相關聯的頁緩沖器讀取的數據隨后可被解碼以識別第一多個多位非易失性存儲單元中的哪個是具有不可接受地高的閾值電壓的擦除的單元。

為了進一步支持差錯檢測，編程操作可包括：將具有相等的第一數據值（例如，所有“1s”）的初始強迫位數據矢量更改為在其中具有多個第二數據值的更改的強迫位數據矢量，其中，所述多個第二數據值識別已在編程操作期間進行至少部分編程的第一多個多位非易失性存儲單元中的各個。操作還可被執行為響應于在編程操作期間第一多個多位非易失性存儲單元中的一個或多個的成功編程，來更新頁緩沖器中的數據。

根據本發明的另外的實施例，一種操作非易失性存儲裝置的方法可包括：通過計算（例如，解碼）以下數據來檢測在用于對非易失性存儲裝置中的多位非易失性存儲單元的頁進行編程的操作期間產生的差錯：（i）從多位非易失性存儲單元的編程的頁讀取的數據，（ii）在編程操作期間修改的強迫位數據矢量，（iii）在與多位非易失性存儲單元的頁相關聯的頁緩沖器中的數據。執行該計算以識別在頁中的任何的多位非易失性存儲單元是否是具有不可接受地高的閾值電壓的擦除的單元（即，無意地“編程的”單元）。為了支持這些檢測操作，編程操作可包括：將在其中具有相等的第一數據值的初始強迫位數據矢量更改為在其中具有多個第二數據值的更改的強迫位數據矢量。這些第二數據值將在頁中的各個多個多位非易失性存儲單元識別為已在編程操作期間進行至少部分編程。所述編程操作還可包括：響應于在編程操作期間在頁中的多位非易失性存儲單元中的一個或多個的成功編程，將頁緩沖器中的數據中的至少一些重置為默認值。

根據本發明的另外的實施例，一種操作非易失性存儲裝置的方法包括：將與在非易失性存儲裝置中的第一多位非易失性存儲單元的第一編程狀態相關聯的第一多位數據值改變為與第一多位非易失性存儲單元的擦除狀態相關聯的第二多位數據值。響應于驗證在編程操作期間第一多位非易失性存儲單元已被正確編程到第一編程狀態來執行該數據值改變操作。隨后讀取在編程操作期間更改的強迫位數據，以確認與第一多位非易失性存儲單元相關聯的第二多位數據值反映被準確地編程的單元。所述編程操作還可包括：在頁緩沖器中，將第一多位數據值重置為第二多位數據值。此外，讀取更改的強迫位數據的步驟可包括：讀取頁緩沖器、在編程操作期間更改的強迫位數據和非易失性存儲裝置中的多個多位非易失性存儲單元，并且隨后使用該讀取的信息來識別在多個多位非易失性存儲單元中的具有不可接受地高的閾值電壓的擦除的單元。將相等的邏輯值的多位強迫位矢量載入強迫位寄存器中的操作先于所述讀取更改的強迫位數據的步驟。此外，可執行在編程操作期間更改在強迫位寄存器中的多位強迫位矢量的至少一部分，以識別非易失性存儲裝置中的已使用ISSP編程技術進行期望的編程的多個多位非易失性存儲單元。