[發(fā)明專利]操作非易失性存儲裝置的方法和集成電路存儲系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310206487.4
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103456361B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李知尚;金武星;崔奇煥
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 王艷嬌,王秀君

1.一種操作非易失性存儲裝置的方法，包括：

通過讀取在編程操作期間驗證的非易失性存儲裝置中的第一多個多位非易失性存儲單元和位線強迫位數(shù)據(jù)，來檢測在用于對第一多個多位非易失性存儲單元的部分進行編程的編程操作期間產(chǎn)生的差錯，以識別第一多個多位非易失性存儲單元中的任意的多位非易失性存儲單元是否包含錯誤的數(shù)據(jù)，

將存儲在與第一多個多位非易失性存儲單元相應(yīng)的數(shù)據(jù)鎖存器中的目標(biāo)數(shù)據(jù)輸出到外部的存儲器控制器；

通過所述存儲器控制器校正目標(biāo)數(shù)據(jù)中的差錯；

其中，位線強迫位數(shù)據(jù)指示是否執(zhí)行位線強迫操作。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述檢測差錯的步驟還包括：從與第一多個多位非易失存儲單元相關(guān)聯(lián)的頁緩沖器中讀取數(shù)據(jù)，以識別第一多個多位非易失性存儲單元中的哪個是具有高于擦除狀態(tài)的電平且低于預(yù)先驗證電平的閾值電壓的執(zhí)行了擦除的單元。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，編程操作包括：驗證在其中具有相等的數(shù)據(jù)值的第一位線強迫位數(shù)據(jù)。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，編程操作包括：驗證在其中具有相等的第一數(shù)據(jù)值的第一位線強迫位數(shù)據(jù)，其中，驗證的步驟包括：保持第一位線強迫位數(shù)據(jù)或?qū)⒌谝晃痪€強迫位數(shù)據(jù)更改為在其中具有多個第二數(shù)據(jù)值的第二位線強迫位數(shù)據(jù)，其中，所述多個第二數(shù)據(jù)值識別已在編程操作期間進行至少部分編程的第一多個多位非易失性存儲單元中的各個多位非易失性存儲單元。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，編程操作包括：

將在其中具有相等的第一數(shù)據(jù)值的第一位線強迫位數(shù)據(jù)更改為在其中具有多個第二數(shù)據(jù)值的第二位線強迫位數(shù)據(jù)，其中，所述多個第二數(shù)據(jù)值識別已在編程操作期間進行至少部分編程的第一多個多位非易失性存儲單元中的各個多位非易失性存儲單元；

響應(yīng)于在編程操作期間第一多個多位非易失性存儲單元中的一個或多個的成功編程來更新頁緩沖器中的數(shù)據(jù)。

6.一種操作非易失性存儲裝置的方法，包括：

通過估計(i)從非易失性存儲裝置中多位非易失性存儲單元的選擇的頁讀取的數(shù)據(jù)、(ii)在編程操作期間更改的位線強迫位數(shù)據(jù)和(iii)在與多位非易失性存儲單元的頁相關(guān)聯(lián)的頁緩沖器中的數(shù)據(jù)，來檢測在用于對多位非易失性存儲單元的選擇的頁進行編程的編程操作期間產(chǎn)生的差錯，以識別多位非易失性存儲單元中的任意的多位非易失性存儲單元是否是具有高于擦除狀態(tài)的電平且低于預(yù)先驗證電平的閾值電壓的執(zhí)行了擦除的單元，

其中，位線強迫位數(shù)據(jù)指示是否執(zhí)行位線強迫操作。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，編程操作包括：將在其中具有相等的第一數(shù)據(jù)值的初始位線強迫位數(shù)據(jù)更改為在其中具有多個第二數(shù)據(jù)值的更改的位線強迫位數(shù)據(jù)，其中，所述多個第二數(shù)據(jù)值將在選擇的頁中的各個多個多位非易失性存儲單元識別為已在編程操作期間進行至少部分編程。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，編程操作還包括：響應(yīng)于在編程操作期間在選擇的頁中的多位非易失性存儲單元中的一個或多個多位非易失性存儲單元的成功編程，將頁緩沖器中的數(shù)據(jù)中的至少一些重置為默認(rèn)值。

9.一種操作非易失性存儲裝置的方法，包括：

響應(yīng)于驗證在編程操作期間非易失性存儲裝置中的第一多位非易失性存儲單元已被正確編程到第一編程狀態(tài)，將與第一多位非易失性存儲單元的第一編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的第一多位數(shù)據(jù)值改變?yōu)榕c第一多位非易失性存儲單元的擦除狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的第二多位數(shù)據(jù)值；

讀取在編程操作期間更改的強迫位數(shù)據(jù)以確認(rèn)與第一多位非易失性存儲單元相關(guān)聯(lián)的第二多位數(shù)據(jù)值反映被準(zhǔn)確地編程的單元。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，編程操作包括：在頁緩沖器中，將第一多位數(shù)據(jù)值重置為第二多位數(shù)據(jù)值。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述讀取包括：讀取頁緩沖器、在編程操作期間更改的強迫位數(shù)據(jù)和非易失性存儲裝置中的多個多位非易失性存儲單元，以識別在所述多個多位非易失性存儲單元中的具有高于預(yù)先驗證電平且低于驗證電平的閾值電壓的執(zhí)行了擦除的單元。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述讀取在編程操作期間更改的強迫位數(shù)據(jù)之前，將具有相等的邏輯值的多個位線強迫位數(shù)據(jù)載入強迫位寄存器。