[發明專利]PMOS設備的中原位摻雜硅鍺接合

在審

• 申請號: 201310205234.5
• 申請日: 2013-05-29
• 公開（公告）號: CN103456693A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: J·亨治爾;S·Y·翁;S·弗萊克豪斯基;T·沙伊普
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L29/08;H01L27/092
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種方法，包括：

形成第一及第二高介電常數金屬柵極(HKMG)柵極堆棧于基板上，各個HKMG柵極堆棧是包含二氧化硅(SiO2)蓋；

形成延伸區于該第一HKMG柵極堆棧的相對側；

形成氮化物襯墊以及氧化物間隔于各該第一及第二HKMG柵極堆棧的各側上；

形成硬掩模于該第二HKMG柵極堆棧上方；

形成嵌入式硅鍺(eSiGe)于該第一HKMG柵極堆棧的相對側；

移除該硬掩模；

形成共形的襯墊以及氮化物間隔于各該第一及第二HKMG柵極堆棧的該氧化物間隔上；以及

形成深源極/漏極區于該第二HKMG柵極堆棧的相對側。

2.根據權利要求1所述的方法，包括：

形成氮化硅(SiN)的該氮化物襯墊；

形成二氧化硅的該氧化物間隔；以及

形成氮化硅的該氮化物間隔。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，該第一及第二HKMG柵極堆棧各自還包括高介電常數的介電質、功函數金屬以及多晶硅(poly-Si)。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

在形成該嵌入式硅鍺前預清洗；以及

最佳化該預清洗，以保護該二氧化硅間隔以及二氧化硅蓋。

5.根據權利要求1所述的方法，包括：

形成嵌入式硅鍺于該第一HKMG柵極堆棧的各側，其通過：

以氫氧化四甲基銨(TMAH)濕蝕刻而形成凹陷；以及

磊晶成長硅鍺于該凹陷中。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

將硼摻雜物原位植入該嵌入式硅鍺中。

7.根據權利要求6所述的方法，包括：

以梯度摻雜分布植入硼。

8.根據權利要求5所述的方法，還包括：

直接在形成該硬掩模后或直接在形成該凹陷后，形成暈區域于該第一HKMG柵極堆棧的相對側。

9.根據權利要求8所述的方法，還包括：

直接在形成該氧化物間隔或直接在移除該硬掩模后，形成暈與延伸區域于該第二HKMG柵極堆棧的相對側。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括進行退火以活化植入的摻雜物。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括于退火后移除該二氧化硅蓋。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括于該源極/漏極區、該嵌入式硅鍺以及該第一及第二HKMG柵極堆棧上形成硅化物。

13.根據權利要求1所述的方法，包括利用磷酸(H₃PO₄)濕蝕刻或利用干蝕刻移除該硬掩模。

14.根據權利要求1所述的方法，還包括形成信道硅鍺區于該第一HKMG柵極堆棧下方。

15.一種裝置，包括：

第一及第二高介電常數金屬柵極(HKMG)柵極堆棧，其各自包含高介電常數的介電質、功函數金屬以及多晶硅(poly-Si)；

相繼形成于各該第一及第二HKMG柵極堆棧各側上的氮化物襯墊、氧化物間隔、共形的襯墊以及氮化物間隔；

于該氮化物襯墊之前所形成的位于該第一HKMG柵極堆棧相對側的延伸區；

位于該第一HKMG柵極堆棧相對側的嵌入式硅鍺，其利用于該第二柵極堆棧上方的硬掩模而形成于該共形的襯墊前；以及

位于該第二HKMG柵極堆棧相對側的深源極/漏極區，其利用該氮化物間隔作為軟掩模所形成。

16.根據權利要求15所述的裝置，其中，該氮化物襯墊包括氮化硅(SiN)以及該氧化物間隔包括二氧化硅(SiO₂)。

17.根據權利要求15所述的裝置，其中，該嵌入式硅鍺是原位摻雜具有梯度摻雜分布的硼。

18.根據權利要求15所述的裝置，還包括：

于該第一HKMG柵極堆棧相對側的暈區，其直接形成于該嵌入式硅鍺之前；以及

位于該第二HKMG柵極堆棧相對側的暈以及延伸區，其直接于該氧化物間隔之后所形成。