[發明專利]增加對電遷移的阻力的結構有效
| 申請號： | 201310204126.6 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN103681555A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 陳憲偉;郭宏瑞 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/485 | 分類號： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增加 遷移 阻力 結構 | ||
1.一種器件，包括：
襯底；
位于所述襯底上方的多個層間介電層；
位于所述襯底上方的多個金屬層；
位于所述多個層間介電層和所述多個金屬層上方的第一聚合物層；
其中，所述第一聚合物層具有第一表面、與所述第一表面在相同側的第二表面以及與所述第一表面相對的第三表面，所述第一表面和所述第二表面的深度差為大約或者大于1um；
位于所述第一聚合物層的所述第一表面上的多根金屬線；以及
位于所述多根金屬線和所述第一聚合物層上的第二聚合物層。
2.根據權利要求1所述的器件，進一步包括位于所述多根金屬線的側壁和所述第二聚合物層之間的非金屬材料層。
3.根據權利要求2所述的器件，其中，所述非金屬材料層包括氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、碳化硅、碳氮化硅或者它們的組合。
4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一聚合物層包括聚酰亞胺、聚苯并惡唑、硅樹脂、苯并環丁烯、環氧樹脂、合成樹脂或者它們的組合。
5.一種器件，包括：
襯底；
位于所述襯底上方的多個層間介電層；
位于所述襯底上方的多個金屬層；
位于所述多個層間介電層和所述多個金屬層上方的第一聚合物層；
位于所述第一聚合物層的第一表面上的多根金屬線；
位于所述多根金屬線上的第二聚合物層；以及
位于所述多根金屬線的側壁和所述第二聚合物層之間的抗電遷移層。
6.根據權利要求5所述的器件，其中，所述多根金屬線由銅、鉭、鋁、鈦、金或者它們的組合制成。
7.一種形成器件的方法，包括：
提供襯底；
在所述襯底上方形成多個層間介電層；
在所述襯底上方形成多個金屬層；
在所述多個介電層和所述多個金屬層上方形成第一聚合物層；
在所述第一聚合物層上形成多根金屬線；
在兩根相鄰金屬線之間的所述第一聚合物層中形成凹槽，所述凹槽的深度為大約或者大于1um；以及
在所述多根金屬線上形成第二聚合物層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第一聚合物層包括聚酰亞胺、聚苯并惡唑、硅樹脂、苯并環丁烯、環氧樹脂、合成樹脂或者它們的組合。
9.根據權利要求7所述的方法，其中，所述第二聚合物層包括聚酰亞胺、聚苯并惡唑、硅樹脂、苯并環丁烯、環氧樹脂、合成樹脂或者它們的組合。
10.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：
在所述多根金屬線的側壁和所述第二聚合物層之間形成抗電遷移層。
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