[發明專利]一種陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201310203861.5 | 申請日: | 2013-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN103296033A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 張明;郝昭慧;尹雄宣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示領域,尤其涉及一種陣列基板及其制作方法。
背景技術
薄膜場效應晶體管平面顯示屏幕,特別是薄膜場效應晶體管(Thin?Film?Transistor,簡稱TFT)液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,簡稱LCD),主要是利用呈矩陣狀排列的TFT,配合適合的電容等電子組件來驅動液晶像素,以產生色彩豐富靚麗的圖像。由于TFT-LCD具有外形輕薄、耗電量少以及無輻射等特性,被廣泛地應用在電視機、筆記本電腦、個人數字助理等顯示產品上。
發明人在實現本發明的過程中發現,目前,市場上的TFT-LCD的尺寸越來越大,掃描頻率和分辨率也越來越高,與此同時,伴隨上述產品性能提升,由于信號延遲問題而引起的問題也越來越突出,需要盡快解決。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制作方法,能夠減小信號線的阻值,減小TFT-LCD出現信號延遲現象的可能性。
為解決上述技術問題,本發明采用如下技術方案:
本發明第一方面提供了一種陣列基板,包括基板和位于基板上的信號線,
所述信號線包括至少兩層位于不同層的導電層,所述不同層的導電層之間設置有絕緣層,所述不同層的導電層之間通過過孔并聯連接。
所述不同層的導電層在所述基板上的投影重合。
所述信號線為柵線,所述不同層的導電層包括柵極金屬層、位于柵線區域的數據線層;或
所述不同層的導電層包括柵極金屬層、位于所述柵線區域的數據線層和位于所述柵線區域的像素電極層。
所述信號線為數據線,所述不同層的導電層包括位于所述數據線區域的柵極金屬層、數據線層;或,
所述不同層的導電層包括數據線層和位于所述數據線區域的像素電極層;或,
所述不同層的導電層包括位于所述數據線區域的柵極金屬層、數據線層和位于所述數據線區域的像素電極層。
當至少兩根信號線在基板上的投影交疊時,所述每根信號線在投影交疊處,僅包括一層導電層。
在本發明的技術方案中,提供了一種陣列基板,該陣列基板上的信號線包括至少兩層位于不同層的導電層,并且導電層之間通過過孔并聯連接,由此可以降低信號線的阻值。該信號線的結構簡單,可有效減小TFT-LCD出現信號延遲現象的可能性。
本發明的第二方面提供了一種陣列基板的制作方法,至少包括:
在基板上沉積形成第一導電層和第一絕緣層;
對所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層的過孔;
在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接。
在所述第一絕緣層和所述第一過孔上沉積形成第二導電層之后,還包括:
在所述第二導電層上沉積形成第二絕緣層;
對所述過孔內的所述第二絕緣層進行刻蝕;
在所述第二絕緣層和所述第二過孔上沉積形成第三導電層,使得所述第一導電層、所述第二導電層和所述第三導電層通過所述過孔并聯連接。
所述在基板上沉積形成第一導電層和第一絕緣層之后,還包括:
在所述第一絕緣層上依次沉積形成第三導電層和第二絕緣層;
所述對所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層的過孔包括:
在所述過孔的對應區域,對所述第一絕緣層、所述第三導電層和所述第二絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層、所述第三導電層和所述第二絕緣層的過孔。
所述在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接包括:
在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層、所述第三導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接。
所述在基板上沉積形成第一導電層和第一絕緣層之后,還包括:
在所述第一絕緣層上沉積形成第三導電層;
所述對所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層的過孔包括:
在所述過孔的對應區域,對所述第三導電層進行刻蝕;
沉積形成第二絕緣層,在所述過孔的對應區域,對所述第二絕緣層和所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層、所述第三導電層和所述第二絕緣層的過孔;
所述在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接包括:
在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層、所述第三導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





