[發明專利]一種陣列基板及其制作方法有效
| 申請號: | 201310203861.5 | 申請日: | 2013-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN103296033A | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 張明;郝昭慧;尹雄宣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制作方法 | ||
1.一種陣列基板,包括基板和位于基板上的信號線,其特征在于,
所述信號線包括至少兩層位于不同層的導電層,所述不同層的導電層之間設置有絕緣層,所述不同層的導電層之間通過過孔并聯連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述不同層的導電層在所述基板上的投影重合。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,
所述信號線為柵線,所述不同層的導電層包括柵極金屬層、位于柵線區域的數據線層;或
所述不同層的導電層包括柵極金屬層、位于所述柵線區域的數據線層和位于所述柵線區域的像素電極層。
4.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,
所述信號線為數據線,所述不同層的導電層包括位于所述數據線區域的柵極金屬層、數據線層;或,
所述不同層的導電層包括數據線層和位于所述數據線區域的像素電極層;或,
所述不同層的導電層包括位于所述數據線區域的柵極金屬層、數據線層和位于所述數據線區域的像素電極層。
5.根據權利要求3或4所述的陣列基板,其特征在于,
當至少兩根信號線在基板上的投影交疊時,所述每根信號線在投影交疊處,僅包括一層導電層。
6.一種如權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,至少包括:
在基板上沉積形成第一導電層和第一絕緣層;
對所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層的過孔;
在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接。
7.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一絕緣層和所述第一過孔上沉積形成第二導電層之后,還包括:
在所述第二導電層上沉積形成第二絕緣層;
對所述過孔內的所述第二絕緣層進行刻蝕;
在所述第二絕緣層和所述第二過孔上沉積形成第三導電層,使得所述第一導電層、所述第二導電層和所述第三導電層通過所述過孔并聯連接。
8.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述在基板上沉積形成第一導電層和第一絕緣層之后,還包括:
在所述第一絕緣層上依次沉積形成第三導電層和第二絕緣層;
所述對所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層的過孔包括:
在所述過孔的對應區域,對所述第一絕緣層、所述第三導電層和所述第二絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層、所述第三導電層和所述第二絕緣層的過孔;
所述在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接包括:
在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層、所述第三導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接。
9.根據權利要求6所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述在基板上沉積形成第一導電層和第一絕緣層之后,還包括:
在所述第一絕緣層上沉積形成第三導電層;
所述對所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層的過孔包括:
在所述過孔的對應區域,對所述第三導電層進行刻蝕;
沉積形成第二絕緣層,在所述過孔的對應區域,對所述第二絕緣層和所述第一絕緣層進行刻蝕,形成貫穿所述第一絕緣層、所述第三導電層和所述第二絕緣層的過孔;
所述在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接包括:
在所述基板上沉積形成第二導電層,使得所述第一導電層、所述第三導電層和所述第二導電層通過所述過孔并聯連接。
10.根據權利要求7所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述信號線為柵線,所述第一導電層為柵極金屬層,所述第二導電層為位于所述柵線區域的數據線層,所述第三導電層為位于所述柵線區域的像素電極層;
或
所述信號線為數據線,所述第一導電層為位于所述數據線區域的柵極金屬層,所述第二導電層為數據線層,所述第三導電層為位于所述數據線區域的像素電極層。
11.根據權利要求8或9任一項所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述信號線為柵線,所述第一導電層為柵極金屬層,所述第三導電層為位于所述柵線區域的數據線層,所述第二導電層為位于所述柵線區域的像素電極層;
或
所述信號線為數據線,所述第一導電層為位于所述數據線區域的柵極金屬層,所述第三導電層為位于所述數據線區域的數據線層,所述第二導電層為位于所述數據線區域的像素電極層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





