[發明專利]電磁鐵線圈組件、半導體加工設備及其控制方法有效
| 申請號： | 201310203813.6 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN104183353A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 葉華;付波 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01F5/00 | 分類號： | H01F5/00;H01F7/06;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電磁鐵 線圈 組件 半導體 加工 設備 及其 控制 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種電磁鐵線圈組件、半導體加工設備及其控制方法。
背景技術
物理氣相沉積（Physical?Vapor?Deposition，PVD）是指通過離子轟擊靶材，使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出并沉積在基片上形成薄膜。如圖1所示，現有的PVD設備包括工藝腔室，工藝腔室中設備有基片托盤，由于基片上沉積的薄膜通常中間較厚而邊緣較薄，為了使基片上沉積的薄膜較為均勻，在托盤周圍設置有四組電磁鐵線圈，每組線圈由一定匝數的漆包線繞置在工藝腔室周圍，每組線圈連接一個電流源。在工藝過程中，只有兩組線圈起作用，具體為兩個電流源為其中的兩組線圈提供一定方向和大小的直流電，通過電流產生磁場，來改變腔室中金屬離子的分布。通常根據工藝的不同會使用不同的線圈和電流流向，表1為實際工藝中所使用的線圈和電流的方向。
表1線圈通電狀態表
俯視該四組電磁鐵線圈時，假設順時針方向為電流正方向，正向電流用+表示，負向電流用-表示。根據表1可知，在第一種工藝時，第一線圈B上通正向電流，第三線圈C上通負向電流；在第二種工藝時，第三線圈C上通正向電流，第四線圈D上通負向電流；在第三種工藝時，第一線圈A上通負向電流，第二線圈B上通正向電流。
然而，現有技術中每組電磁鐵線圈都需要設置對應的直流源，使得成本較高。
發明內容
本發明提供一種電磁鐵線圈組件、半導體加工設備及其控制方法，使用較少的電流源為四組電磁鐵線圈供電，從而降低了成本。
為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案：
一方面，提供一種電磁鐵線圈組件，包括：
四組電磁鐵線圈，所述四組電磁鐵線圈包括：位于上層外側的第一線圈，位于上層內側的第二線圈，位于下層內側的第三線圈和位于下層外側的第四線圈；
兩個控制電路，每個所述控制電路包括電流源和線圈選擇電路；
所述線圈選擇電路包括：
第一單刀雙擲開關，其固定端連接于第一節點，其兩個選擇端分別連接于第三節點和第四節點；
第二單刀雙擲開關，其固定端連接于第二節點，其兩個選擇端分別連接于第五節點和第六節點；
第一節點和第二節點分別連接于所述電流源的兩極；
所述兩個控制電路中的線圈選擇電路分別為第一線圈選擇電路和第二線圈選擇電路；
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