[發(fā)明專利]電磁鐵線圈組件、半導(dǎo)體加工設(shè)備及其控制方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310203813.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104183353A | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 葉華;付波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01F5/00 | 分類號(hào)： | H01F5/00;H01F7/06;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100026 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電磁鐵 線圈 組件 半導(dǎo)體 加工 設(shè)備 及其 控制 方法 | ||
1.一種電磁鐵線圈組件，其特征在于，包括：
四組電磁鐵線圈，所述四組電磁鐵線圈包括：位于上層外側(cè)的第一線圈，位于上層內(nèi)側(cè)的第二線圈，位于下層內(nèi)側(cè)的第三線圈和位于下層外側(cè)的第四線圈；
兩個(gè)控制電路，每個(gè)所述控制電路包括電流源和線圈選擇電路；
所述線圈選擇電路包括：
第一單刀雙擲開關(guān)，其固定端連接于第一節(jié)點(diǎn)，其兩個(gè)選擇端分別連接于第三節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)；
第二單刀雙擲開關(guān)，其固定端連接于第二節(jié)點(diǎn)，其兩個(gè)選擇端分別連接于第五節(jié)點(diǎn)和第六節(jié)點(diǎn)；
第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)分別連接于所述電流源的兩極；
所述兩個(gè)控制電路中的線圈選擇電路分別為第一線圈選擇電路和第二線圈選擇電路；
在所述第一線圈選擇電路中，第三節(jié)點(diǎn)連接于所述第一線圈的第一抽頭，第四節(jié)點(diǎn)連接于所述第三線圈的第一抽頭，第五節(jié)點(diǎn)連接于所述第一線圈的第二抽頭，第六節(jié)點(diǎn)連接于所述第三線圈的第二抽頭；
在所述第二線圈選擇電路中，第三節(jié)點(diǎn)連接于所述第四線圈的第一抽頭，第四節(jié)點(diǎn)連接于所述第二線圈的第一抽頭，第五節(jié)點(diǎn)連接于所述第四線圈的第二抽頭，第六節(jié)點(diǎn)連接于所述第二線圈的第二抽頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁鐵線圈組件，其特征在于，
每個(gè)所述控制電路還包括極性選擇電路，所述電流源的兩極通過所述極性選擇電路連接于所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)；
所述極性選擇電路包括：
第三單刀雙擲開關(guān)，其固定端連接于所述電流源的第一極，其兩個(gè)選擇端分別連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)；
第四單刀雙擲開關(guān)，其固定端連接于所述電流源的第二極，其兩個(gè)選擇端分別連接于第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁鐵線圈組件，其特征在于，
所述第一單刀雙擲開關(guān)、第二單刀雙擲開關(guān)、第三單刀雙擲開關(guān)和第四單刀雙擲開關(guān)為接觸器。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁鐵線圈組件，其特征在于，
所述第一單刀雙擲開關(guān)、第二單刀雙擲開關(guān)、第三單刀雙擲開關(guān)和第四單刀雙擲開關(guān)中每個(gè)單刀雙擲開關(guān)包括兩個(gè)IGBT，所述兩個(gè)IGBT的第一端相互連接作為單刀雙擲開關(guān)的固定端，所述兩個(gè)IGBT的第二端分別作為單刀雙擲開關(guān)的兩個(gè)選擇端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的電磁鐵線圈組件，其特征在于，
所述控制單元為PLC、FPGA或單片機(jī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的電磁鐵線圈組件，其特征在于，所述電磁鐵線圈組件用于半導(dǎo)體加工設(shè)備。
7.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括工藝腔室，所述工藝腔室中設(shè)置有基片支撐結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：一個(gè)或多個(gè)如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的電磁鐵線圈組件，所述電磁鐵線圈組件設(shè)置于所述基片支撐結(jié)構(gòu)的周圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)電磁鐵線圈組件沿所述工藝腔室上下排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體加工設(shè)備為PVD設(shè)備。
10.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備的控制方法，基于如權(quán)利要求7至9中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其特征在于，包括：
在進(jìn)行第一種工藝時(shí)，控制使第二線圈和第三線圈上具有方向相反的電流，第一線圈和第四線圈上沒有電流；
在進(jìn)行第二種工藝時(shí)，控制使第三線圈和第四線圈上具有方向相反的電流，第一線圈和第二線圈上沒有電流；
在進(jìn)行第三種工藝時(shí)，控制使第一線圈和第二線圈上具有方向相反的電流，第三線圈和第四線圈上沒有電流。
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