[發明專利]用于有機發光裝置的反射陽極電極及其制造方法

有效

• 申請號: 201310202475.4
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103258966A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 儲培鳴
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32;H05B33/26;C23C14/34
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 劉春生;于寶慶

技術領域

本發明涉及一種反射陽極電極的制造方法，具體涉及一種用于有機發光裝置的反射陽極電極的制造方法及由該方法制造的反射陽極電極。

背景技術

有機電致發光裝置是一種自發光全固體型平板顯示裝置，其驅動方式分為無源型和有源型，有源型常采用上發射構造，即從裝置上表面側引出光的構造，為此上發射型有源矩陣有機發光裝置采用兼具光反射性的反射陽極電極，以使裝置發光層發出的光經由該反射陽極反射而從上表面射出。這種反射陽極電極由作為透明陽極接觸層的透明導電氧化物膜層和作為反射層的高反射率金屬膜層層疊構成，其中透明陽極接觸層要求具有高透過率，通常采用氧化銦錫或氧化銦鋅，反射層要求具有高反射率、低電阻率，通常采用在可見光區具有高反射低吸收特性且導電性良好的金屬銀。

濺射是一種優良的鍍膜工藝，具有成膜堅固、致密性好、成膜條件和厚度易于控制、均勻性和重復性好、便于大面積成膜等優點，在有機發光領域具有廣泛的應用。上述反射陽極電極通常也采用濺射工藝形成，首先在在基板之上濺鍍銀層，再在銀層之上濺鍍透明導電氧化物層。透明導電氧化物例如氧化銦錫或氧化銦鋅一般為反應式濺射鍍膜，在鍍膜過程中需要添加少量氧氣或者水汽來補充氧含量，以改善氧化銦錫或氧化銦鋅膜層的透過率，然而其下作為反射層的銀層在通入氧氣或水汽的情況下容易發生氧化，在表面形成氧化物，從而增大銀層的表面粗糙度，進而降低銀層的反射率。

為防止在銀層之上沉積透明導電氧化物層時銀層被氧化，目前多采取在銀層之上增加保護層或采用銀合金層代替純銀層。例如CN102168246A公開了在基板之上連續沉積氧化銦錫層、銀層、鈦層、氧化銦錫層以利用鈦層保護銀層的方法，該方法雖解決了銀層氧化的問題，但金屬鈦的反射率不及銀，增加的鈦層降低了反射陽極的反射率，且需新增濺射鈦層的腔室，增加了工藝的復雜性及成本。又例如CN102612859A公開了一種反射陽極電極，其采用鋁-銀復合合金層代替銀層，解決銀層氧化腐蝕的問題，由于目前銀仍為反射性最好的金屬，因而該方法同樣存在降低反射陽極反射率的問題。因此，需要一種改進的在銀層表面形成透明導電氧化物層的方法，以減少銀層氧化。

發明內容

本發明通過首先在惰性氣氛下在銀反射層之上濺射形成透明氧化物緩沖層，再在通入氧氣或水汽的條件下在緩沖層之上濺射透明氧化物陽極接觸層，即通過在銀層與透明氧化物陽極接觸層之間增加透明氧化物緩沖層的方法，解決銀層表面氧化問題，降低銀層表面粗糙度，提高銀層反射率。

因此，一方面，本發明提供一種用于有機發光裝置的反射陽極電極的制造方法，該方法包括以下步驟：

(1)在一腔室中在惰性氣體條件下于基板之上濺射形成銀反射層；

(2)在另一腔室中在惰性氣體條件下于所述銀反射層之上濺射形成透明導電氧化物緩沖層；

(3)在步驟(2)的腔室中在同時通入惰性氣體和氧氣的條件下于所述透明導電氧化物緩沖層之上濺射形成透明導電氧化物陽極接觸層，制成反射陽極電極。

在本發明方法的一種實施方式中，步驟(1)至(3)中所述惰性氣體均選自氬氣、氪氣、氙氣、氖氣或氮氣。

在本發明方法的另一種實施方式中，步驟(1)至(3)中所述惰性氣體均為氬氣。

在本發明方法的另一種實施方式中，步驟(1)和步驟(2)中惰性氣體的流量為75～200cm³/min。

在本發明方法的另一種實施方式中，步驟(1)和步驟(2)中惰性氣體的分壓為0.3～0.8Pa。

在本發明方法的另一種實施方式中，步驟(3)中所述惰性氣體與氧氣的流量比為50:1～100:1。

在本發明方法的另一種實施方式中，步驟(2)和(3)中所述透明導電氧化物均為氧化銦錫。

在本發明方法的另一種實施方式中，所述銀反射層的厚度為100～200nm。

在本發明方法的另一種實施方式中，所述銀反射層的厚度為150nm。

在本發明方法的另一種實施方式中，所述透明導電氧化物緩沖層的厚度為1～5nm。

在本發明方法的另一種實施方式中，所述透明導電氧化物緩沖層的厚度為3nm。

在本發明方法的另一種實施方式中，所述透明導電氧化物陽極接觸層的厚度為10～20nm。

在本發明方法的另一種實施方式中，所述透明導電氧化物陽極接觸層的厚度為11nm。