[發明專利]用于有機發光裝置的反射陽極電極及其制造方法

有效

• 申請號: 201310202475.4
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103258966A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 儲培鳴
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L27/32;H05B33/26;C23C14/34
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 劉春生;于寶慶

1.一種用于有機發光裝置的反射陽極電極的制造方法，該方法包括以下步驟：

(1)在一腔室中在惰性氣體條件下于基板之上濺射形成銀反射層；

(2)在另一腔室中在惰性氣體條件下于所述銀反射層之上濺射形成透明導電氧化物緩沖層；

(3)在步驟(2)的腔室中在同時通入惰性氣體和氧氣的條件下于所述透明導電氧化物緩沖層之上濺射形成透明導電氧化物陽極接觸層，制成反射陽極電極。

2.如權利要求1所述的方法，其中步驟(1)至(3)中所述惰性氣體均選自氬氣、氪氣、氙氣、氖氣或氮氣。

3.如權利要求2所述的方法，其中步驟(1)至(3)中所述惰性氣體均為氬氣。

4.如權利要求1所述的方法，其中步驟(1)和(2)中惰性氣體的流量為75～200cm³/min。

5.如權利要求1所述的方法，其中步驟(1)和(2)中惰性氣體的分壓為0.3～0.8Pa。

6.如權利要求1所述的方法，其中步驟(3)中所述惰性氣體與氧氣的流量比為50:1～100:1。

7.如權利要求1所述的方法，其中步驟(2)和(3)中所述透明導電氧化物均為氧化銦錫。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述銀反射層的厚度為100～200nm。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述銀反射層的厚度為150nm。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述透明導電氧化物緩沖層的厚度為1～5nm。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述透明導電氧化物緩沖層的厚度為3nm。

12.如權利要求1所述的方法，其中所述透明導電氧化物陽極接觸層的厚度為10～20nm。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述透明導電氧化物陽極接觸層的厚度為11nm。

14.一種通過權利要求1-13中任一項所述的方法制造的用于有機發光裝置的反射陽極電極，該反射陽極電極包括：銀反射層，設置于所述銀反射層之上的透明導電氧化物緩沖層，設置于所述透明導電氧化物緩沖層之上的透明導電氧化物陽極接觸層。

15.如權利要求14所述的反射陽極電極，其中所述透明導電氧化物緩沖層為氧化銦錫緩沖層，且所述透明導電氧化物陽極接觸層為氧化銦錫陽極接觸層。

16.如權利要求14所述的反射陽極電極，其中所述銀反射層的厚度為100～200nm。

17.如權利要求16所述的反射陽極電極，其中所述銀反射層的厚度為150nm。

18.如權利要求14所述的反射陽極電極，其中所述透明導電氧化物緩沖層的厚度為1～5nm。

19.如權利要求18所述的反射陽極電極，其中所述透明導電氧化物緩沖層的厚度為3nm。

20.如權利要求14所述的反射陽極電極，其中所述透明導電氧化物陽極接觸層的厚度為10～20nm。

21.如權利要求20所述的反射陽極電極，其中所述透明導電氧化物陽極接觸層的厚度為11nm。

22.如權利要求14所述的反射陽極電極，其中所述銀反射層的表面粗糙度R_a為0.78～0.92nm。

23.如權利要求14所述的反射陽極電極，其中所述氧化銦錫緩沖層和所述氧化銦錫陽極接觸層對550nm波長的光的透過率為93.8～96.2%。