[發明專利]一種LED封裝結構及其封裝方法

無效

• 申請號: 201310201419.9
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN103346234A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 王冬雷;莊燦陽
• 申請（專利權）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 廣東秉德律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍

技術領域

本發明涉及LED技術領域，具體的說是一種LED封裝結構及其封裝方法。

背景技術

LED（Light?Emitting?Diode，發光二極管）是一種固態半導體器件，可將電能轉換為光能。具有耗電量小、聚光效果好、反應速度快、可控性強、能承受高沖擊力、使用壽命長、環保等優點。LED正逐步替代傳統光源，成為新型的第四代光源。

目前，業界較為常用的兩種LED芯片：一為正裝LED芯片；另一為倒裝LED芯片。請參閱圖1，為采用正裝LED芯片的封裝結構，包括：封裝基板1、反射杯2、封裝膠3、LED芯片4、金線5。LED芯片4主要包括襯底、N型層、發光層、P型層及分別與該N型層、該P型層導電連接的N電極、P電極。LED芯片4固定在封裝基板1上，其N電極、P電極分別通過金線5與封裝基板1的正、負電極形成導電連接。封裝膠3覆蓋在LED芯片4上，將該LED芯片4所包覆。

請參閱圖2，為采用倒裝LED芯片的封裝結構，包括：封裝膠40、LED芯片20、封裝基板10、固晶層30。LED芯片20主要包括襯底、N型層、發光層、P型層、反射層及分別與該N型層、該P型層導電連接的N電極、P電極。LED芯片20固定在封裝基板1上，其N電極、P電極分別通過導電的固晶層30（或，焊接層）與封裝基板10的正、負焊盤連接。封裝膠3覆蓋在LED芯片20上，將該LED芯片20所包覆。

無論正裝LED芯片與倒裝LED芯片，均是通過發光層在電場作用下課發出單色波長的光線（如藍光），然后通過封裝膠射出LED器件外，根據封裝膠材料的不同，形成含有多色波長的光譜。封裝膠可以是單一層，也可以是多層層疊，一般采用熒光膠、環氧樹脂、透明塑膠或玻璃材料。設置在LED芯片上的封裝膠需要通過自身的粘結性能附著在LED芯片和封裝基板的表面，其附著性能隨著粘結界面的材料不同存在差異。比如，LED芯片的藍寶石材料與碳化硅材料與封裝膠的附著粘結性能就不一致；封裝基板表面的金屬線路部分、非金屬線路部分與封裝膠的附著粘結性能也不同。這樣封裝膠與LED芯片、封裝基板的附著粘結性能均存在差異，此種現象大大降低了LED器件的可靠性；為提高LED器件的可靠性，避免發生封裝膠脫離的現象，因此，封裝過程中需要使用粘結性能較為優異的封裝膠，不利于封裝膠的成本控制。

發明內容

本發明的其中一目的在于提供了一種LED封裝結構。

本發明的另一目的在于提供一種上述LED封裝結構的封裝方法。

為了達到上述目的，本發明采用了如下的技術方案：

一種LED封裝結構，包括LED芯片、封裝膠、封裝基板，該LED芯片、該封裝基板與該封裝膠相粘結的表面設有絕緣的粘接層。

作為本發明的優選技術方案：所述LED芯片與該封裝基板間的固晶層，其與該封裝膠相粘結的表面設有絕緣的粘接層。

作為本發明的優選技術方案：所述粘結層的厚度小于該LED芯片發光波長的四分之一。

作為本發明的優選技術方案：所述粘接層為無機材料的粘結層。

作為本發明的優選技術方案：所述粘接層為二氧化硅或氮化硅材料的粘結層。

一種LED封裝結構的封裝方法，包括LED芯片、封裝膠、封裝基板，首先，分別在該LED芯片、該封裝基板與該封裝膠相粘結的表面生成一絕緣的粘接層；然后，將該LED芯片固定在該封裝基板上的固晶區域；最后，封裝該封裝膠；

或者，首先，將該LED芯片固定在該封裝基板上的固晶區域；然后，在該LED芯片、該封裝基板與該封裝膠相粘結的表面分別生成一絕緣的粘接層；最后，封裝該封裝膠。

作為本發明的優選技術方案：所述LED芯片與該封裝基板間的固晶層，其與該封裝膠相粘結的表面設有絕緣的粘接層。

作為本發明的優選技術方案：所述粘結層的厚度小于該LED芯片發光波長的四分之一。

作為本發明的優選技術方案：所述粘接層為無機材料的粘結層。

作為本發明的優選技術方案：所述粘接層采用等離子體增強化學氣相沉積法生成。

與現有技術相比，本發明在LED芯片、封裝基板與封裝膠相粘結的表面設置一粘接層，使封裝的LED器件的各個部位具有一致的附著粘結性能，提高LED器件的可靠性；同時，降低對封裝膠粘結性能的要求，降低封裝膠的成本。

附圖說明

圖1為已知技術中正裝LED芯片的封裝結構示意圖。

圖2為已知技術中倒裝LED芯片的封裝結構示意圖。

圖3為本發明第一實施例的示意圖。