[發明專利]膜制造方法及膜制造裝置

無效

• 申請號: 201310200298.6
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN103572208A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 筑后了治;牧野博之
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

技術領域

本申請主張基于2012年8月8日申請的日本專利申請第2012-176125號的優先權。其申請的全部內容通過參考援用于本說明書中。

本發明涉及一種在成膜對象物上形成氧化銦膜的膜制造方法及膜制造裝置。

背景技術

以往，已知有為了應用于觸控面板等，通過離子鍍法在基板上成膜低電阻的氧化銦膜的技術。例如，根據專利文獻1所示的膜的制造裝置，將腔室內設為高于100℃的溫度，使成膜材料離子化而擴散，并在基板上成膜氧化銦膜。

專利文獻1：日本特開2005-050730號公報

在此，在耐熱性較低的樹脂基板等上形成低電阻的氧化銦膜的要求越來越高。當在樹脂基板等上形成氧化銦膜時，要求在100℃以下的低溫下成膜。然而，在以往的離子鍍法中，當將腔室內的溫度設為100℃以下來進行成膜時，存在難以獲得低電阻的氧化銦膜的問題。

發明內容

因此，本發明的目的在于提供一種將成膜時的溫度設為100℃以下，并且制造低電阻的氧化銦膜的膜制造方法及膜制造裝置。

本發明所涉及的膜制造方法，其特征在于，具備：成膜工序，在該工序中通過離子鍍法在成膜對象物上形成氧化銦膜；及退火工序，該工序在成膜工序之后，對氧化銦膜進行退火處理，在成膜工序中，將腔室內的壓力設為0.3Pa以下，將成膜對象物的溫度設為100℃以下，在退火工序中，在100℃以下對氧化銦膜進行退火處理。

根據本發明所涉及的膜制造方法，將成膜工序的溫度設為100℃以下，并且將退火工序的退火溫度設為100℃以下，由此（即使在例如使用如樹脂基板等那樣要求在低溫下成膜的材料所涉及的成膜對象物時）也能夠與成膜對象物的耐熱性無關地制造氧化銦膜。而且，將成膜工序的壓力設為0.3Pa以下，并且在成膜工序之后進行退火工序，由此即使成膜工序的溫度為100℃以下的低溫，也能夠制造低電阻的氧化銦膜。如上，能夠將成膜時的溫度設為100℃以下，并且制造低電阻的氧化銦膜。

而且，在本發明所涉及的膜制造方法中，優選將腔室內的水分分壓設為5.8×10^-4Pa以下。而且，可將腔室內的水分分壓設為3.9×10^-4Pa以下。由此，能夠更可靠地制造低電阻的氧化銦膜。

本發明所涉及的膜制造裝置，其特征在于，具備：成膜裝置，其通過離子鍍法在成膜對象物上形成氧化銦膜；及退火裝置，其對通過成膜裝置形成于所述成膜對象物上的所述氧化銦膜進行退火處理，成膜裝置具有：真空腔室；壓力維持構件，其將成膜時的真空腔室內的壓力維持在0.3Pa以下；及溫度維持構件，其將成膜時的成膜對象物的溫度維持在100℃以下，退火裝置具有在100℃以下對氧化銦膜進行加熱的退火爐。

根據本發明所涉及的膜制造裝置，將成膜時的溫度設為100℃以下，并且將退火時的退火溫度設為100℃以下，由此（即使在例如使用如樹脂基板等要求在低溫下成膜的材料所涉及的成膜對象物時）也能夠與成膜對象物的耐熱性無關地制造氧化銦膜。而且，將成膜時的壓力設為0.3Pa以下，并且對通過成膜裝置形成于所述成膜對象物上的氧化銦膜進行退火處理，由此即便成膜時的溫度為100℃以下的低溫，也能夠制造低電阻的氧化銦膜。如上，能夠將成膜時的溫度設為100℃以下，并且制造低電阻的氧化銦膜。

而且，在本發明所涉及的膜制造裝置中，優選成膜裝置具有將成膜時的腔室內的水分分壓維持在5.8×10^-4Pa以下的水分分壓維持構件。并且，水分分壓維持構件可將成膜時的所述腔室內的水分分壓維持在3.9×10^-4Pa以下。由此，能夠更可靠地制造低電阻的氧化銦膜。

發明效果

根據本發明，能夠將成膜時的溫度設為100℃以下，并且制造低電阻的氧化銦膜。

附圖說明

圖1是表示用于本發明的實施方式所涉及的膜制造方法的膜制造裝置的概要結構圖。

圖2是沿圖1的II-II線的剖視圖。

圖3是表示實施例1的結果的曲線圖。

圖4是表示實施例2的結果的表格。

圖中：1-膜制造裝置、100-成膜裝置、101-基板（成膜對象物）、123-成膜腔室、140-蒸鍍裝置、150-真空泵（壓力維持構件、水分分壓維持構件）、160-加熱器（溫度維持構件）、200-退火裝置、201-退火爐、M1-氧化銦膜。

具體實施方式