[發明專利]噴墨頭基板的加工方法

無效

• 申請號: 201310198514.8
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN103419494A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 米本太地;古澤健太;岸本圭介
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: B41J2/16
• 分類號: B41J2/16
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

1.一種噴墨頭基板的加工方法，其依次包括：

a）在基板上形成阻擋層并且在所述阻擋層上形成晶種層的步驟；

b）在所述晶種層上形成抗蝕膜并且使所述抗蝕膜圖案化以使得所述抗蝕膜具有與被構造成驅動墨排出能量產生元件的配線部對應的開口的步驟；

c）在被圖案化的所述抗蝕膜的所述開口中形成所述配線部的步驟；

d）移除所述抗蝕膜的步驟；

e）激光加工所述基板的表面的步驟；

f）通過各向異性蝕刻所述基板形成墨供給口的步驟；以及

g）移除所述阻擋層和所述晶種層的步驟。

2.一種噴墨頭基板的加工方法，其依次包括：

a）在基板上形成阻擋層并且在所述阻擋層上形成晶種層的步驟；

b）激光加工所述基板的表面的步驟；

c）在所述晶種層上形成抗蝕膜并且使所述抗蝕膜圖案化以使得所述抗蝕膜具有與被構造成驅動墨排出能量產生元件的配線部對應的開口的步驟；

d）在被圖案化的所述抗蝕膜的所述開口中形成所述配線部的步驟；

e）移除所述抗蝕膜的步驟；

f）通過各向異性蝕刻所述基板形成墨供給口的步驟；以及

g）移除所述阻擋層和所述晶種層的步驟。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在激光加工所述基板的表面的步驟之前，不進行形成用于保護所述基板的表面不受由激光加工所產生的異物的影響的保護膜的步驟。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述晶種層包含從由Au、Ag和Cu組成的組中選擇的至少一種。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述晶種層的厚度為30nm至80nm。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述阻擋層包含從由Ti、W、含Ti和W的化合物以及TiN組成的組中選擇的至少一種。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述阻擋層的厚度為170nm至300nm。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述激光加工是對所述基板進行穿孔的加工。