[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310197218.6 | 申請日： | 2013-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN103426992A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐鐘旭;沈恩德;李相沌;洪玄權(quán) | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/46 | 分類號： | H01L33/46;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;劉燦強(qiáng) |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 發(fā)光 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：
第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，由AlxGayIn1-x-yP或AlzGa1-zAs形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，0≤z≤1；
活性層，設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間，
其中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的至少一層包括由（AlvGa1-v)0.5In0.5P或AlwIn1-wP形成并且具有凹入和突起的低折射率表面層，其中，0.7≤v≤1，0≤w≤1。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，低折射率表面層具有AlwIn1-wP的組分，其中，0.3≤w＜1。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在低折射率表面層和活性層之間的中間層，所述中間層的折射率大于低折射率表面層的折射率。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，中間層具有AluIn1-uP的組分，其中，0≤u≤v,w。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，中間層具有AlmGanIn1-m-nP的組分，其中，0≤m≤1，0≤n≤1。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在低折射率表面層和活性層之間的多個(gè)中間層，其中，所述多個(gè)中間層的折射率沿朝著低折射率表面層的方向逐漸減小。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)中間層由AluIn1-uP形成，所述多個(gè)中間層中的鋁的比例沿朝著低折射率表面層的方向逐漸增加，其中，0≤u≤1。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述多個(gè)中間層由AlmGanIn1-m-nP形成，所述多個(gè)中間層中的鋁的比例沿朝著低折射率表面層的方向逐漸增加，其中，0.3≤m≤1，0≤n≤1。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括形成在低折射率表面層上的抗反射層。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，抗反射層由氮化硅或氧化硅形成。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括電連接到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第一電極和電連接到第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的第二電極。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與第一電極之間的第一接觸層和設(shè)置在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層與第二電極之間的第二接觸層。
13.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，所述半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括：
第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；
活性層，設(shè)置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間，
其中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的至少一層包括不規(guī)則表面。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，不規(guī)則表面背對活性層。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，不規(guī)則表面與空氣形成界面。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層中的至少一層包括由(AlvGa1-v)0.5In0.5P或AlwIn1-wP形成的低折射率表面層，其中，0.7≤v≤1，0≤w≤1，不規(guī)則表面形成在低折射率表面層上。
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