[發明專利]半導體發光裝置

無效

• 申請號: 201310197218.6
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN103426992A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 徐鐘旭;沈恩德;李相沌;洪玄權
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/22
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;劉燦強

本申請要求于2012年5月25日提交到韓國知識產權局的第10-2012-0055966號韓國專利申請的優先權，該申請的全部公開內容通過引用被包含于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體發光裝置。

背景技術

發光二極管（LED）是一種能夠在將電流施加于其上時根據p型和n型半導體結處的電子空穴復合而產生各種顏色的光的半導體裝置。與燈絲類發光裝置相比，半導體發光裝置具有諸如長壽命、低功耗、優異的初始驅動特性、高的耐震性等的各種優點。因此，對半導體發光裝置的需求已經持續增長。

半導體發光裝置的發光效率取決于內部量子效率和光提取效率。光提取效率可以由發光裝置的光學因素（例如，每個結構的折射率和/或界面平面度等）決定。發光裝置的結構（例如，半導體材料）可以具有2.5或更高的折射率，并且在紅色（或者帶紅色的顏色組）的情況下可以具有3.0或更高的折射率。因此，即使內部量子效率相對高時，光提取率仍然低，從而不能夠獲得高的光功率。

發明內容

本公開的目的在于提供一種具有提高的光功率的半導體發光裝置。

根據本公開的一方面，提供了一種半導體發光裝置，所述半導體發光裝置包括：第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層，由Al_xGa_yIn_1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或Al_zGa_1-zAs（0≤z≤1）形成；活性層，設置在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間，其中，第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層中的至少一層可以包括由(Al_vGa_1-v)_0.5In_0.5P（0.7≤v≤1）或Al_wIn_1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面層。

低折射率表面層可以由Al_wIn_1-wP（0.3≤w＜1）形成。

所述半導體發光裝置還可以包括設置在低折射率表面層和活性層之間的中間層，所述中間層的折射率可以大于低折射率表面層的折射率。

中間層可以由Al_uIn_1-uP（0≤u≤v,w）形成。

中間層可以由Al_mGa_nIn_1-m-nP（0≤m≤1，0≤n≤1）形成。

所述半導體發光裝置還可以包括設置在低折射率表面層和活性層之間的多個中間層，其中，所述多個中間層的折射率可以沿朝著低折射率表面層的方向逐漸減小。

所述多個中間層可以由Al_uIn_1-uP（0≤u≤1）形成，所述多個中間層中的鋁（Al）的比例可以沿朝著低折射率表面層的方向逐漸增加。

所述多個中間層可以由Al_mGa_nIn_1-m-nP（0.3≤m≤1，0≤n≤1）形成，所述多個中間層中的鋁（Al）的比例可以沿朝著低折射率表面層的方向逐漸增加。

所述半導體發光裝置還可以包括形成在低折射率表面層上的抗反射層。

抗反射層可以由氮化硅或氧化硅形成。

所述半導體發光裝置還可以包括電連接到第一導電類型半導體層的第一電極和電連接到第二導電類型半導體層的第二電極。

所述半導體發光裝置還可以包括設置在第一導電類型半導體層與第一電極之間的第一接觸層和設置在第二導電類型半導體層與第二電極之間的第二接觸層。

根據本公開的另一方面，提供了一種半導體發光裝置，所述半導體發光裝置包括：第一導電類型半導體層；第二導電類型半導體層；活性層，設置在第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層之間，其中，第一導電類型半導體層和第二導電類型半導體層中的至少一層包括不規則表面。

不規則表面可以背對活性層。

不規則表面可以與空氣形成界面。