[發(fā)明專利]并行測(cè)試器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310196280.3
• 申請(qǐng)日: 2013-05-23
• 公開（公告）號(hào): CN103887194A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹彬鋒;趙敏;周柯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L29/78
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種并行測(cè)試器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

第一摻雜阱，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

柵極結(jié)構(gòu)，位于所述第一摻雜阱上方的半導(dǎo)體襯底表面；

源級(jí)和漏極，分別位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一摻雜阱內(nèi)；

兩個(gè)基極，位于所述第一摻雜阱內(nèi)，分別與源級(jí)和漏極相鄰，通過第一淺溝道隔離結(jié)構(gòu)與所述源級(jí)和漏極相隔離；

以及半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第二摻雜阱，包圍所述第一摻雜阱、源級(jí)、漏極和基極，并通過第二淺溝道隔離結(jié)構(gòu)隔離，所述第二摻雜阱與所述第一摻雜阱摻雜類型相反。

2.如權(quán)利要求1所述的并行測(cè)試器件，其特征在于，所述第一摻雜阱為P阱，第二摻雜阱為N阱。

3.如權(quán)利要求1所述的并行測(cè)試器件，其特征在于，所述源級(jí)與漏極的導(dǎo)電類型為N型。

4.如權(quán)利要求1所述的并行測(cè)試器件，其特征在于，所述基極的導(dǎo)電類型與第一摻雜阱相同。

5.如權(quán)利要求1所述的并行測(cè)試器件，其特征在于，所述第二摻雜阱為環(huán)型。