[發明專利]掩膜板覆蓋膜設計方法

無效

• 申請號: 201310195623.4
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103279008A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 朱駿;馬蘭濤;張旭升
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/62
• 分類號: G03F1/62
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種掩膜板覆蓋膜設計方法。

背景技術

光刻生產中,為了防止掩膜板的圖形受到環境的污染和直接損傷，在掩膜板使用時使用的掩膜板會有一層覆蓋膜（本文中稱為掩膜板覆蓋膜）以保護圖形免受外界的污染和損傷。

最初，為了保持和外界的氣壓平衡（保持覆蓋膜兩面的空氣壓力穩定），在覆蓋膜的單個側面上設計了一個氣孔。但這個氣孔同時也使空氣中的氨氣和硫酸根離子進入到內部和掩膜板接觸，從而反應生成不透光的結晶體。

隨著光刻進入193納米時代，為了防止結晶產生，掩膜板需要保持在干燥的過濾空氣中，防止環境中的氨氣和硫酸根起反應生成結晶物。目前業界普遍使用把掩膜板保持在干燥的純凈空氣中，減少結晶的發生。這時，一個氣孔就不能保證內部環境的交換率和均勻性，在實際使用中，發現邊緣和角落位置的結晶物還是比較多。而且，由于當初氣孔的設計是為了保持氣壓穩定，在新的氣體純化功能的需求下，就會出現一些問題。

具體地，圖1示意性地示出了根據現有技術的掩膜板覆蓋膜。第一側面21表示圖中上側的掩膜板覆蓋膜1側邊的側視圖，第二側面22表示圖中右側的掩膜板覆蓋膜1側邊的側視圖，第三側面23表示圖中下側的掩膜板覆蓋膜1側邊的側視圖，第四側面24表示圖中左側的掩膜板覆蓋膜1側邊的側視圖。其中，只有表示掩膜板覆蓋膜1的下側邊的第四側面24上布置了一個氣孔3。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠降低整塊掩膜板結晶氣體的含量，降低結晶的反應，從而增加掩膜板的使用時間和使用壽命的掩膜板覆蓋膜設計方法。

為了實現上述技術目的，根據本發明，提供了一種掩膜板覆蓋膜設計方法，其包括：

掩膜板覆蓋膜制作步驟，用于制作掩膜板覆蓋膜膜體；

氣孔形成步驟，用于在掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊分別布置多個氣孔。

優選地，所述掩膜板覆蓋膜設計方法用于設計193納米光源的掩膜板覆蓋膜。

優選地，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊上的氣孔的尺寸相同。

優選地，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊中的各個側邊上的多個氣孔等間距布置。

優選地，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊中的相對側邊上的氣孔數量相等，并且對應布置。

優選地，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊中的較長的兩個相對側邊上的氣孔數量大于四個側邊中的較短的兩個相對側邊上的氣孔數量。

本發明在掩模版的生產使用中起到了很大的作用，主要的效果包括：解決了覆蓋膜內部氣體純化的效率和均勻性，保證了掩膜板圖形區域接觸氣體的純凈，使整個圖形區域的結晶能夠保持在一個很低的水準；保證了覆蓋膜內外兩面氣壓變化的穩定性，由于氣流的快速流通，內部的氣壓可以很好的和外部保持一致；由于氣孔的尺寸使用目前業界的標準尺寸，孔徑非常小，因此增加氣孔數量，對側面的堅固性不會造成影響。

本發明通過更改覆蓋膜側面的設計，增加氣孔，保證每個側面和角落都能有氣體的交換。本發明解決了一個氣孔進行氣體交換的流通性及交換率的限制；并且使覆蓋膜的邊緣，特別是角落的氣體能夠及時進行純化和干燥。降低了整塊掩膜板結晶氣體的含量，本發明降低了結晶的反應，從而增加了掩膜板的使用時間和使用壽命。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據現有技術的掩膜板覆蓋膜。

圖2示意性地示出了根據本發明實施例的掩膜板覆蓋膜設計方法的流程圖。

圖3示意性地示出了根據本發明實施例的掩膜板覆蓋膜設計方法的示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

發明人有利地發現，在現有技術中，如圖1所示，由于只有一個氣孔3，在外部氣壓高于內部時，外部氣流4進入內部，并且等到內部氣壓大于外部時才會使氣體流出，當氣壓平衡時，基本上就沒有氣體的流動了。首先，在開始的氣壓不平衡階段，由于交替變化，因此覆蓋膜的表面就會根據氣壓的變化出現變形。然后就是氣體交換的量比較少，并且邊緣和角落基本上沒有純化。這也是目前這些位置會很快發現結晶問題的一個原因。