[發明專利]掩膜板覆蓋膜設計方法無效
| 申請號： | 201310195623.4 | 申請日： | 2013-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN103279008A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 朱駿;馬蘭濤;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/62 | 分類號： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩膜板 覆蓋 設計 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種掩膜板覆蓋膜設計方法，其特征在于包括：
掩膜板覆蓋膜制作步驟，用于制作掩膜板覆蓋膜膜體；
氣孔形成步驟，用于在掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊分別布置多個氣孔。
2.根據權利要求1所述的掩膜板覆蓋膜設計方法，其特征在于，所述掩膜板覆蓋膜設計方法用于設計193納米光源的掩膜板覆蓋膜。
3.根據權利要求1或2所述的掩膜板覆蓋膜設計方法，其特征在于，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊上的氣孔的尺寸相同。
4.根據權利要求1或2所述的掩膜板覆蓋膜設計方法，其特征在于，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊中的各個側邊上的多個氣孔等間距布置。
5.根據權利要求1或2所述的掩膜板覆蓋膜設計方法，其特征在于，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊中的相對側邊上的氣孔數量相等，并且對應布置。
6.根據權利要求1或2所述的掩膜板覆蓋膜設計方法，其特征在于，掩膜板覆蓋膜膜體四個側邊中的較長的兩個相對側邊上的氣孔數量大于四個側邊中的較短的兩個相對側邊上的氣孔數量。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
