[發(fā)明專利]具備光電轉(zhuǎn)換和放大功能的異質(zhì)結三極管有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310193217.4 | 申請日: | 2013-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN103247675A | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李洪濤;矯淑杰;王宇 | 申請(專利權)人: | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號: | H01L29/737 | 分類號: | H01L29/737;H01L31/11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具備 光電 轉(zhuǎn)換 放大 功能 異質(zhì)結 三極管 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于紅外探測技術領域,涉及一種異質(zhì)結晶體三極管,具體涉及一種具備光電轉(zhuǎn)換和放大功能的異質(zhì)結三極管。
背景技術
目前在進行紅外探測時一般均采用光伏或光導結構,也有利用光-熱-電轉(zhuǎn)換的,如VO2等材料,但其反應速度很慢。而光伏和光導結構用光量子激發(fā)直接產(chǎn)生載流子,反應時間在微妙級。
與光伏結構相比,光導結構就是一個光敏電阻,其躁聲較大,靈敏度較低。
光伏結構(PN結或PIN結構)直接把入射的光量子轉(zhuǎn)化為載流子,但該結構本身沒有放大環(huán)節(jié),一般是用另外的放大器進行放大,其間的弱信號傳輸易于受到干擾從而使燥聲加大。如果能把InSb等窄帶隙材料制備成具有放大功能的三極管結構,則就能同時具備光電轉(zhuǎn)化和放大的雙重功能,但由于InSb的本征載流子濃度太高使得該材料的晶體三極管不容易制造出來。目前最容易制備晶體三極管的材料是Si,其次是Ge(帶隙稍窄)和GaAs(帶隙稍寬)。
如果把容易制備晶體三極管的材料(Ge,?Si或GaAs)與能夠進行紅外探測的材料(InSb)結合起來,則就能利用兩種材料各自的優(yōu)點,從而制備出異質(zhì)結晶體三極管。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是將容易制備晶體三極管的材料(Ge,?Si或GaAs)與能夠進行紅外探測的材料(InSb)結合起來,進而提供一種同時具備光電轉(zhuǎn)換和放大功能的異質(zhì)結三極管。
本發(fā)明的異質(zhì)結三極管包括襯底,在襯底表面依次生長的與襯底材料相同的P型層、N型InSb或?N型InAs/GaSb超晶格層,以及設置在N型InSb或?N型InAs/GaSb超晶格層之上的透明電極層,在襯底的底部和透明電極層的上部分別設置有金屬引線。
上述結構中,所述襯底的材料為N+型GaAS、N+型Si或N+型Ge等晶體材料,在其上生長的P型層的材料應與襯底的材料相對應,即:當襯底為N+型GaAS,在其上生長P型GaAS;當襯底為N+型Si,在其上生長P型Si;當襯底為N+型Ge,在其上生長P型Ge。
上述結構中,所述襯底的摻雜濃度應在1020個原子/cm3左右;P型層的摻雜濃度在1018個原子/cm3左右,InSb或InAs/GaSb超晶格層的摻雜濃度應在1018個原子/cm3左右。
當上述摻雜濃度若有變化,則將導致所述三極管性能的變化。所述襯底的N型摻雜濃度與P型摻雜濃度之比決定異質(zhì)結三極管的最大可能放大倍數(shù),實際的放大倍數(shù)還受到P型GaAS層材料厚度的影響。
本發(fā)明的紅外探測用異質(zhì)結晶體三極管,可采用分子束外延設備來生產(chǎn),該設備通過提供極高的真空度,保證了器件制備過程的無污染,從而獲得優(yōu)異的半導體器件的性能。使用本發(fā)明的異質(zhì)結三極管,則紅外光探測和電信號的初級放大就由一個器件來完成,避免了弱信號的傳輸,從而使得躁聲降低,這對于提高器件的光電響應性能是十分有利的。
附圖說明
????圖1?為本發(fā)明的異質(zhì)結三極管結構,圖2為本發(fā)明的異質(zhì)結晶體三極管能帶圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明的技術方案作進一步的說明,但并不局限如此,凡是對本發(fā)明技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術方案的精神和范圍,均應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍中。
具體實施方式一:如圖1所示,本實施方式中的異質(zhì)結三極管結構包括襯底101,若采用N+型GaAS襯底,則用分子束外延等方法在其表面上生長一薄層P型GaAS?102,再生長一薄層N型InSb或?N型InAs/GaSb超晶格103,若采用InAs/GaSb超晶格則可以探測更長的波長,最后在N型InSb或?N型InAs/GaSb超晶格103上制備透明電極層104,在襯底101的底部和透明電極層104的上部分別設置有金屬引線105,用于連接正負極。
上述結構中,所述襯底的摻雜濃度應在1020個原子/cm3左右;P型GaAs的摻雜濃度在1018個原子/cm3左右,InSb或InAs/GaSb超晶格層的摻雜濃度應在1018個原子/cm3左右。
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H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
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H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
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