[發明專利]具備光電轉換和放大功能的異質結三極管

有效

• 申請號: 201310193217.4
• 申請日: 2013-05-23
• 公開（公告）號: CN103247675A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 李洪濤;矯淑杰;王宇
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: H01L29/737
• 分類號: H01L29/737;H01L31/11
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述異質結三極管包括襯底（101），在襯底（101）表面依次生長的與襯底材料相同的P型層（102）、N型InSb或?N型InAs/GaSb超晶格層（103），以及設置在N型InSb或?N型InAs/GaSb超晶格層（103）之上的透明電極層（104），在襯底（101）的底部和透明電極層（104）的上部分別設置有金屬引線（105）。

2.根據權利要求1所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述襯底（101）的材質為N⁺型GaAS、N⁺型Si或N⁺型Ge。

3.根據權利要求1所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述襯底（101）為N⁺型GaAS襯底時，在其表面生長P型GaAS層。

4.根據權利要求1所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述襯底（101）為N⁺型Si襯底時，在其表面生長P型Si層。

5.根據權利要求1所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述襯底（101）為N⁺型Ge襯底時，在其表面生長P型Ge層。

6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述襯底（101）摻雜濃度為10²⁰個原子/cm³。

7.根據權利要求1、2、3、4或5所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述P型層（102）的摻雜濃度為10¹⁸個原子/cm³。

8.根據權利要求1、2、3、4或5所述的具備光電轉換和放大功能的異質結三極管，其特征在于所述InSb或InAs/GaSb超晶格層（103）的摻雜濃度為10¹⁸個原子/cm³。