[發(fā)明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310192924.1
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN103420322A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃郁庭;張恕銘;何彥仕;劉滄宇
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一第一半導(dǎo)體基底；

一第二半導(dǎo)體基底，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體基底之上，其中該第二半導(dǎo)體基底包括一下半導(dǎo)體層、一上半導(dǎo)體層、及位于該下半導(dǎo)體層與該上半導(dǎo)體層之間的一絕緣層，且部分的該下半導(dǎo)體層電性接觸該第一半導(dǎo)體基底上的至少一接墊；

一信號導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體基底的一下表面之上，該信號導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該第一半導(dǎo)體基底上的一信號接墊；以及

一導(dǎo)電層，設(shè)置于該第二半導(dǎo)體基底的該上半導(dǎo)體層之上，且電性連接該下半導(dǎo)體層的與該第一半導(dǎo)體基底上的該至少一接墊電性接觸的該部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電層大抵完全覆蓋該第二半導(dǎo)體基底的該上半導(dǎo)體層的一上表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一孔洞，自該第二半導(dǎo)體基底的該上半導(dǎo)體層的一上表面朝該第二半導(dǎo)體基底的該下半導(dǎo)體層延伸，其中該導(dǎo)電層延伸進入該孔洞而電性接觸部分的該下半導(dǎo)體層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞對齊于其中一該至少一接墊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二導(dǎo)電層，電性連接該信號導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該信號接墊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一第二孔洞，自該第一半導(dǎo)體基底的一下表面朝該信號接墊延伸，其中該第二導(dǎo)電層延伸進入該第二孔洞而電性接觸該信號接墊，且該第二導(dǎo)電層與該第一半導(dǎo)體基底之間隔有一第二絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該導(dǎo)電層直接接觸該第二半導(dǎo)體基底。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一承載基底，設(shè)置于該第二半導(dǎo)體基底之上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一粘著層，設(shè)置于該承載基底與該第二半導(dǎo)體基底之上。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一半導(dǎo)體基底包括一互補式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管晶片，而該第二半導(dǎo)體基底包括一微機電系統(tǒng)晶片。

11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括：

提供一第一半導(dǎo)體基底；

提供一第二半導(dǎo)體基底，該第二半導(dǎo)體基底包括一下半導(dǎo)體層、一上半導(dǎo)體層、及位于該下半導(dǎo)體層與該上半導(dǎo)體層之間的一絕緣層；

將該第二半導(dǎo)體基底接合于該第一半導(dǎo)體基底之上而使部分的該下半導(dǎo)體層電性接觸該第一半導(dǎo)體基底上的至少一接墊；

于該第二半導(dǎo)體基底的該上半導(dǎo)體層之上形成一導(dǎo)電層，其中該導(dǎo)電層電性連接該下半導(dǎo)體層的與該第一半導(dǎo)體基底上的該至少一接墊電性接觸的該部分；以及

于該第一半導(dǎo)體基底的一下表面之上形成一信號導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中該信號導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接該第一半導(dǎo)體基底上的一信號接墊。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于形成該導(dǎo)電層之前，薄化該上半導(dǎo)體層。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括于形成該導(dǎo)電層之前，移除部分的該上半導(dǎo)體層以形成朝該下半導(dǎo)體層延伸的一孔洞，接著形成該導(dǎo)電層而使該導(dǎo)電層延伸進入該孔洞而電性接觸部分的該下半導(dǎo)體層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該導(dǎo)電層大抵完全覆蓋該上半導(dǎo)體層的一上表面及該孔洞的一側(cè)壁及一底部。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括在形成該信號導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前，薄化該第一半導(dǎo)體基底。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括：

于該第二半導(dǎo)體基底之上接合一承載基底；以及

以該承載基底為支撐，自該第一半導(dǎo)體基底的該下表面薄化該第一半導(dǎo)體基底。