[發明專利]電熔絲結構及其形成方法、半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201310192826.8
• 申請日: 2013-05-22
• 公開（公告）號: CN104183542B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/525
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電熔絲結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供絕緣體上半導體襯底，所述絕緣體上半導體襯底包括頂層半導體層；

刻蝕所述頂層半導體層形成懸空的納米線，所述納米線用于形成包括陰極、陽極和熔斷區的電熔絲結構；

在所述納米線的兩端摻雜，形成電熔絲結構的陰極和陽極，以及位于所述陰極和陽極之間的熔斷區；

對所述納米線的表面和兩個端面進行修復，形成包裹所述納米線的修復層。

2.如權利要求1所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成電熔絲結構的陰極和陽極前，在納米線的中間摻雜，形成具有摻雜的熔斷區。

3.如權利要求1所述的電熔絲結構的形成方法，其特征在于，還包括：形成多個導電插塞，所述多個導電插塞分別于所述陰極和陽極電連接。

4.一種電熔絲結構，其特征在于，包括：

絕緣體上半導體襯底，所述絕緣體上半導體襯底包括背襯底、覆蓋背襯底表面的隱埋氧化物層、和覆蓋隱埋氧化物層表面的頂層半導體層；

位于所述隱埋氧化物層表面的納米線，所述納米線由所述頂層半導體層形成，用于形成包括陰極、陽極和熔斷區的電熔絲結構；

其中，所述電熔絲結構的陰極和陽極分別位于所述納米線的兩端，其內部具有摻雜；所述電熔絲結構的熔斷區位于陰極和陽極之間；

所述納米線的表面和兩個端面具有包裹所述納米線的修復層。

5.如權利要求4所述的電熔絲結構，其特征在于，所述熔斷區內具有摻雜。

6.如權利要求4所述的電熔絲結構，其特征在于，還包括：覆蓋所述陰極、陽極和熔斷區的層間介質層；貫穿所述層間介質層的多個導電插塞，所述導電插塞分別與所述陰極和陽極電連接。