[發(fā)明專利]模塑料結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310190559.0
• 申請日: 2013-05-21
• 公開（公告）號: CN104009007B
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳憲偉
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

封裝部件，包括：

多個(gè)凸塊，形成在所述封裝部件上；

半導(dǎo)體管芯，安裝在所述封裝部件上；

介電材料，形成在所述封裝部件上方，所述封裝部件的頂面在頂視圖中僅四個(gè)角部沒有所述介電材料；以及

頂部封裝件，接合在所述封裝部件上，所述半導(dǎo)體管芯位于所述頂部封裝件和所述封裝部件之間；

其中，所述介電材料形成位于所述封裝部件上方的模塑料層，并且所述半導(dǎo)體管芯嵌入在所述模塑料層中；

其中，所述模塑料層是梯形，或者所述模塑料層的截面是剪切同一側(cè)角部的矩形，并且所述剪切同一側(cè)角部的矩形包括：

矩形；以及

梯形，位于所述矩形上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述梯形具有范圍在50度至80度之間的內(nèi)角。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述封裝部件是封裝襯底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述封裝部件的頂面的四個(gè)邊緣區(qū)域沒有所述介電材料，每一個(gè)邊緣區(qū)域的寬度均等于50um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，每個(gè)角部的形狀都是三角形。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述三角形的第一邊的第一尺寸大于或等于所述凸塊的節(jié)距的一半；以及

所述三角形的第二邊垂直于所述第一邊，所述第二邊的第二尺寸大于或等于所述凸塊的節(jié)距的一半。

7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在封裝襯底的頂面的子部中設(shè)置半導(dǎo)體管芯；

在所述子部的四個(gè)角部處設(shè)置偽塊狀件；

在所述封裝襯底的頂面上形成多個(gè)凸塊，以行和列的方式布置所述多個(gè)凸塊；

在所述封裝襯底的頂面上方沉積密封層，所述半導(dǎo)體管芯嵌入到所述密封層中；

從所述封裝襯底卸離所述偽塊狀件；

將所述封裝襯底切割成多個(gè)芯片封裝件；以及

將頂部封裝件連接至所述封裝襯底，其中：

在所述封裝襯底和所述頂部封裝件之間設(shè)置所述半導(dǎo)體管芯；并且

所述頂部封裝件和所述封裝襯底通過所述凸塊連接在一起；

其中，所述偽塊狀件的頂面的長度大于所述偽塊狀件的底面的長度，并且所述偽塊狀件僅設(shè)置在每個(gè)所述封裝襯底的子部的四個(gè)角部上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

將釋放層附接在所述封裝襯底的每一個(gè)角部上方；

將所述偽塊狀件通過所述釋放層附接至所述封裝襯底；以及

對所述封裝襯底實(shí)施釋放工藝以卸離所述偽塊狀件。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

將釋放層附接在所述封裝襯底的頂面的邊緣區(qū)域上方；

將所述邊緣區(qū)域的偽塊狀件通過所述釋放層附接至所述封裝襯底；以及

對所述封裝襯底實(shí)施釋放工藝以卸離所述邊緣區(qū)域的偽塊狀件。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

將環(huán)形的偽塊狀件附接在所述封裝襯底的頂面上，其中所述環(huán)形的偽塊狀件覆蓋所述封裝襯底的子部中的四個(gè)角部和四個(gè)邊緣區(qū)域。

11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

在襯底的第一側(cè)上附接第一半導(dǎo)體管芯；

在所述襯底的所述第一側(cè)上附接第二半導(dǎo)體管芯；

在所述第一半導(dǎo)體管芯和所述第二半導(dǎo)體管芯之間附接偽塊狀件；

在所述襯底的第一側(cè)上方沉積模塑料層，其中所述第一半導(dǎo)體管芯、所述第二半導(dǎo)體管芯和所述偽塊狀件嵌入在所述模塑料層中；以及

從所述襯底卸離所述偽塊狀件；

其中，所述偽塊狀件的頂面的長度大于所述偽塊狀件的底面的長度并且所述偽塊狀件僅設(shè)置在每個(gè)所述襯底的四個(gè)角部上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括：

切割所述襯底以形成包括所述第一半導(dǎo)體管芯的第一芯片封裝件；以及

在所述第一芯片封裝件上附接頂部封裝件，其中所述第一半導(dǎo)體管芯位于所述襯底和所述頂部封裝件之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括：將所述偽塊狀件附接至所述襯底，其中所述偽塊狀件是圍繞所述第一半導(dǎo)體管芯的環(huán)。