[發明專利]一種制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310190106.8
• 申請日: 2013-05-21
• 公開（公告）號: CN104183537B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成第一超低k層間介電層和金屬互連結構；

刻蝕去除部分的所述第一超低k層間介電層，以使所述金屬互連結構的頂部高于所述第一超低k層間介電層；

在所述金屬互連結構和所述第一超低k層間介電層上依次形成墊覆蓋層和納米顆粒薄膜層；

去除部分的所述納米顆粒薄膜層，以露出所述金屬互連結構上方的所述墊覆蓋層；

在所述墊覆蓋層和所述納米顆粒薄膜層上形成第二超低k層間介電層；

采用紫外線固化處理所述第二超低k層間介電層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，刻蝕所述第一超低k層間介電層的方法為反應離子刻蝕。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述納米顆粒薄膜層的方法包括旋涂含有所述納米顆粒的溶液和采用溶液祛除工藝除去所述溶液中的溶劑。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述納米顆粒薄膜層中的納米顆粒為金屬氧化物顆粒。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鋅或者氧化鈦。

6.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述溶劑為醇溶液。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述醇溶液為甲醇、乙醇、丙醇或者高級醇。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分的所述納米顆粒薄膜層的方法為反應離子刻蝕。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，經所述紫外線固化處理之后的所述金屬互連結構上方的墊覆蓋層具有拉應力。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述墊覆蓋層為具有壓應力的氮化碳化硅。