[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310188054.0
• 申請日: 2013-05-20
• 公開（公告）號: CN104183787A
• 公開（公告）日: 2014-12-03
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊設置的陽極基板、發光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層，

所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均選自1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－鄰菲羅啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；

所述第一無機阻擋層的材質為金屬硅化物與金屬氮化物混合形成的混合材料，所述金屬硅化物占第一無機阻擋層總質量的10～30%；所述第二無機阻擋層的材質為金屬硅化物與金屬氧化物混合形成的混合材料，所述金屬硅化物占第二無機阻擋層總質量的10～30%；所述金屬硅化物為二硅化鉻、二硅化鉭、二硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鉬或二硅化鎢，所述金屬氮化物為氮化鋁、氮化鈦、氮化釩、氮化鈮、氮化鋯或氮化鉭，所述金屬氧化物為氧化鎂、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿或氧化鉭。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200～300nm，所述第二有機阻擋層的厚度為200～300nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為100～150nm，所述第二無機阻擋層的厚度為100～150nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述封裝層單元重復設置2～4次。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極基板上依次制備發光功能層和陰極；

在所述陰極表面制備封裝層，得到有機電致發光器件，所述封裝層是由封裝層單元重復設置形成的復合結構，所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；

所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質均選自1,1-二（（4-N,N′-二（對甲苯基）胺）苯基）環己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺、8-羥基喹啉鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7－二苯基－1，10－鄰菲羅啉或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層均采用真空蒸鍍的方式制備，所述真空蒸鍍過程中的真空度為1×10^-5Pa～1×10^-3Pa，蒸發速度為

所述第一無機阻擋層的材質為金屬硅化物與金屬氮化物混合形成的混合材料，所述金屬硅化物占第一無機阻擋層總質量的10～30%；所述第二無機阻擋層的材質為金屬硅化物與金屬氧化物混合形成的混合材料，所述金屬硅化物占第二無機阻擋層總質量的10～30%；所述金屬硅化物為二硅化鉻、二硅化鉭、二硅化鉿、二硅化鈦、二硅化鉬或二硅化鎢，所述金屬氮化物為氮化鋁、氮化鈦、氮化釩、氮化鈮、氮化鋯或氮化鉭，所述金屬氧化物為氧化鎂、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿或氧化鉭；所述第一無機阻擋層和第二無機阻擋層均采用磁控濺射的方式制備，所述磁控濺射過程中，本底真空度1×10^-5～1×10^-3Pa。

7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200～300nm，所述第二有機阻擋層的厚度為200～300nm。

8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述第一無機阻擋層的厚度為100～150nm，所述第二無機阻擋層的厚度為100～150nm。

9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝層單元重復設置2～4次。

10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。