[發明專利]一種有機改性二硫化鉬納米片層及其制備方法

有效

• 申請號: 201310187544.9
• 申請日: 2013-05-20
• 公開（公告）號: CN103275355A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 胡源;周克清;桂宙
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: C08K9/04
• 分類號: C08K9/04;C08K9/02;C08K3/30;C08L25/06
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 王立民

1.一種有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）通過溶劑熱法用插層劑對層狀二硫化鉬進行插層處理后離心、洗滌并干燥，得到插層二硫化鉬；

（2）將步驟（1）制備的插層二硫化鉬水解，得到二硫化鉬懸浮液；

（3）將有機改性劑加入步驟（2）制備的二硫化鉬懸浮液中，在25～90℃下反應3～10h，將得到的產物離心、洗滌并干燥，即獲得有機改性二硫化鉬納米片層。

2.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述插層劑為正丁基鋰、氫氫化鋰中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，步驟（1）中所述層狀二硫化鉬與插層劑的摩爾比為1:3～6。

4.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，步驟（1）具體為：

將層狀二硫化鉬和插層劑加入有機溶劑中，在25～100℃下反應2～6h，將得到的產物離心、洗滌并干燥，得到插層二硫化鉬。

5.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述插層二硫化鉬和去離子水的質量比小于10-2。

6.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述水解為超聲水解。

7.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，步驟（3）中所述有機改性劑為十二烷基磺酸鈉、三聚氰胺磷酸鹽、二茂鐵、有機季銨鹽中的至少一種。

8.根據權利要求7所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，所述有機季銨鹽為十六烷基三甲基氯化銨、十六烷基三甲基溴化銨、十八烷基三甲基氯化銨、十八烷基三甲基溴化銨、對乙烯基苯三甲基氯化銨、十六烷基二甲基烯丙基氯化銨、對乙烯苯甲基十二烷基二甲基氯化銨中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的有機改性二硫化鉬納米片層的制備方法，其特征在于，插層二硫化鉬和有機改性劑的質量比為1:1～10。

10.一種由權利要求1～9中任一項方法制備的有機改性二硫化鉬納米片層，其特征在于，層間距為1.1nm～3.0nm。