[發明專利]有機發光裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201310187330.1 | 申請日: | 2013-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN103426902A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 許晶行;李在萬;申政均;曹貴正;安昭妍 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
本申請要求于2012年5月22日提交的韓國專利申請No.10-2012-0054490的優先權權益,該專利申請特此以引用方式并入,如同在本文中完全闡述。
技術領域
本發明涉及有機發光裝置,更具體地講,涉及能夠通過去除空穴傳輸層之間的界面勢壘來提高效率并延長壽命的有機發光裝置及其制造方法。
背景技術
對于在先進的信息和通信中作為核心技術在屏幕上表現各種信息的圖像顯示裝置,在研發具有改進性能的薄型、輕質且便攜式的裝置方面,有持續進步。在這一點上,作為重量和體積減小的平板顯示裝置,近期備受關注的是通過調節從有機發光層發射的光量來顯示圖像的有機發光裝置,而重量和體積是陰極射線管(CRT)的缺點。
有機發光裝置(OLED)是使用置于電極之間的薄發光層的自發光裝置,有機發光裝置具有薄紙型設計。具體地,有機發光裝置包括陽極、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和陰極。
在這點上,為了提高空穴遷移率,空穴傳輸層包括多個層(例如,第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層)。然而,當空穴傳輸層具有雙層結構時,第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層之間的界面勢壘中斷了空穴到發光層的移動。因此,驅動電壓可能增大,并且壽命和裝置的效率會降低。
發明內容
因此,本發明致力于一種有機發光裝置及其制造方法,所述有機發光裝置及其制造方法基本上消除了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或更多個問題。
本發明的目的在于提供能夠通過消除空穴傳輸層之間的界面勢壘而提高效率且延長壽命的有機發光裝置及其制造方法。
本發明的額外優點、目的和特征將部分地在隨后的描述中闡述,并且部分對于本領域的普通技術人員在閱讀了后面的內容之后將變得清楚,或者可以從本發明的實踐中獲知。本發明的目的和其它優點可以通過在書面描述及其權利要求書以及附圖中具體指出的結構實現和達到。
為了實現這些目的和其它優點并且根據本發明的目的,如本文中實施和廣義描述的,一種有機發光裝置包括:第一電極和第二電極,其在基板上形成為彼此相對;以及有機層,其包括順序地層疊在所述第一電極和所述第二電極之間的空穴注入層、第一空穴傳輸層、混合層、第二空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層。所述混合層由用于形成所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的材料形成,并且設置在所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層之間。
這里,所述第一空穴傳輸層可以由用以下的公式1表達的胺衍生物形成。在公式1中,R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3構成芳香環。
公式1
所述第二空穴傳輸層可以由具有10-7至10-5cm2/Vs的空穴遷移率的呋喃或噻吩衍生物形成。
所述第一空穴傳輸層可以具有至的厚度,并且所述第二空穴傳輸層可以具有至的厚度。
所述混合層可以具有至的厚度。
在本發明的另一個方面,一種有機發光裝置包括:第一電極和第二電極,其在基板上形成為彼此相對;第一堆疊,其形成在所述第一電極上,并且包括順序地層疊的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一混合層、第二空穴傳輸層、第一發光層和第一電子傳輸層;第二堆疊,其形成在所述第一堆疊和所述第二電極之間,并且包括順序地層疊的第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層、第二發光層和第二電子傳輸層;以及電荷產生層,其形成在所述第一堆疊和所述第二堆疊之間,以控制所述第一堆疊和所述第二堆疊之間的電荷平衡。所述第一混合層包括用于形成所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的材料,并且設置在所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層之間。
所述有機發光裝置還可以包括第二混合層,所述第二混合層由用于形成所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的材料形成,并且設置在所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





