[發明專利]有機發光裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201310187330.1 | 申請日: | 2013-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN103426902A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 許晶行;李在萬;申政均;曹貴正;安昭妍 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光裝置,所述有機發光裝置包括:
第一電極和第二電極,其在基板上形成為彼此相對;以及
有機層,其包括順序地層疊在所述第一電極和所述第二電極之間的空穴注入層、第一空穴傳輸層、混合層、第二空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層,
其中,所述混合層由用于形成所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的材料形成并且設置在所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層之間。
2.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述第一空穴傳輸層由用以下的公式1表達的胺衍生物形成,其中R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3構成芳香環:
公式1
3.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述第二空穴傳輸層由具有10-7至10-5cm2/Vs的空穴遷移率的呋喃或噻吩衍生物形成。
4.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述第一空穴傳輸層具有至的厚度,并且所述第二空穴傳輸層具有至的厚度。
5.根據權利要求1所述的有機發光裝置,其中所述混合層具有至的厚度。
6.一種有機發光裝置,所述有機發光裝置包括:
第一電極和第二電極,其在基板上形成為彼此相對;
第一堆疊,其形成在所述第一電極上,并且包括順序地層疊的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一混合層、第二空穴傳輸層、第一發光層和第一電子傳輸層;
第二堆疊,其形成在所述第一堆疊和所述第二電極之間,并且包括順序地層疊的第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層、第二發光層和第二電子傳輸層;以及
電荷產生層,其形成在所述第一堆疊和所述第二堆疊之間,以控制所述第一堆疊和所述第二堆疊之間的電荷平衡,
其中所述第一混合層包括用于形成所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的材料,并且設置在所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層之間。
7.根據權利要求6所述的有機發光裝置,該有機發光裝置還包括第二混合層,所述第二混合層由用于形成所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的材料形成,并且設置在所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層之間。
8.根據權利要求6所述的有機發光裝置,其中所述第一空穴傳輸層由用以下的公式1表達的胺衍生物形成,其中R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3構成芳香環:
公式1
9.根據權利要求6所述的有機發光裝置,其中所述第二空穴傳輸層由具有10-7至10-5cm2/Vs的空穴遷移率的呋喃或噻吩衍生物形成。
10.根據權利要求6所述的有機發光裝置,其中所述第一空穴傳輸層具有至的厚度,并且所述第二空穴傳輸層具有至的厚度。
11.根據權利要求6所述的有機發光裝置,其中所述第一混合層具有至的厚度。
12.一種制造有機發光裝置的方法,所述方法包括:
在基板上形成第一電極;
通過在所述第一電極上順序地層疊空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一混合層、第二空穴傳輸層、第一發光層和第一電子傳輸層,來形成第一堆疊;
通過在所述第一堆疊的所述第一電子傳輸層上順序地層疊n型電荷產生層和p型電荷產生層,來形成電荷產生層;以及
通過在所述p型電荷產生層上順序地層疊第三空穴傳輸層、第四空穴傳輸層、第二發光層和第二電子傳輸層,來形成第二堆疊,
其中通過共沉積用于形成所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的材料以混合所述第一空穴傳輸層和所述第二空穴傳輸層的所述材料,來形成所述第一混合層。
13.根據權利要求12所述的方法,其中形成所述第二堆疊的步驟還包括:通過在所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層之間共沉積用于形成所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的材料以混合所述第三空穴傳輸層和所述第四空穴傳輸層的材料,來形成第二混合層。
14.根據權利要求12所述的方法,其中所述第一空穴傳輸層由用以下的公式1表達的胺衍生物形成,其中R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3構成芳香環:
公式1
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





