[發明專利]電子器件及制造電子器件的方法

無效

• 申請號: 201310185908.X
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN103296002A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: F·A·拜奧齊;J·T·卡古;J·M·德盧卡;B·J·杜特;C·馬丁
• 申請（專利權）人: 艾格瑞系統有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/268
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 肖靖

本申請是申請號為200880131681.8、申請日為2008年9月19日、發明名稱為“用于集成電路的電阻調諧的由電磁輻射引起的硅中的同素異形或形態改變”的申請的分案申請。

技術領域

本公開一般涉及半導體制造，更特別地，涉及改變集成電路中的電阻器值。

背景技術

將可熔鏈接加入集成電路設計中是公知的用于改變制造的IC器件以修復缺陷的方法。該方法一般包括使用電力或激光照射以打開可熔鏈接熔絲。用于改變IC器件的其它的方法包括設計修正和聚焦離子束（FIB）修改，這兩者一般均牽涉相當多的費用。

可熔鏈接的切斷是用于從活動使用去除電路元件的破壞性過程。因此，金屬熔絲例如一般駐留于器件的表面附近（在上部互連層面上），使得它們可在不影響更接近基板的其它材料或電路元件的情況下燒斷。來自熔絲打開過程的附屬損傷是在傳遞給顧客之后會導致器件屈服降低和/或早期失效的可靠性問題。

發明內容

一個實施例提供一種電子器件。電子器件包括基板和基板上的電介質層。電阻鏈接位于基板和電介質層之間。鏈接包含第一電阻區域和第二電阻區域。第一電阻區域包含具有第一電阻率和第一形態的半導體。第二電阻區域包含具有第二電阻率和不同的第二形態的半導體。

另一實施例是一種電子器件的制造方法。在一個步驟中，方法提供具有其上形成的電介質層的半導體基板，和基板和電介質之間的電阻器。電阻器包含具有第一形態的半導體。在另一個步驟中，用電磁輻射照射電阻器。在另一個步驟中，通過照射將電阻器的一部分從第一形態轉變成半導體的不同的第二形態。

以上概述了本發明的特征，使得本領域技術人員可以更好地理解以下的本發明的詳細的描述。以下描述形成本發明的權利要求的主題的本發明的其它的特征。本領域技術人員應理解，他們可以很容易地使用公開的概念和特定的實施例作為用于設計或修改用于實施本發明的相同的目的的其它的結構的基礎。本領域技術人員還應理解，這些等同的構造不背離本發明的精神和范圍。

附圖說明

現在，為了能夠更全面地理解本發明，結合附圖參照以下的描述，其中，

圖1示出本公開的示例性半導體電阻器的平面圖；

圖2示出根據本公開形成的半導體器件的斷面圖；

圖3A和圖3B分別示出從半導體基板的單晶部分形成的電阻鏈接的平面圖和斷面圖；

圖3C和圖3D分別示出在柵電極層面上由多晶半導體形成的電阻鏈接的平面圖和斷面圖；

圖3E和圖3F分別示出在互連層面上由多晶半導體形成的電阻鏈接的平面圖和斷面圖；

圖4A～4D示出電阻鏈接的一部分從結晶同素異形狀態向非晶同素異形狀態的轉變；

圖5A～5D示出電阻鏈接的一部分從非晶同素異形狀態向結晶同素異形狀態的轉變；

圖6A～6B示出被配置為照射半導體電阻器的光源；

圖7示出本公開的方法；和

圖8～12示出通過光源的照射從一個同素異形狀態向另一同素異形狀態轉換電阻鏈接的實驗結果。

具體實施方式

這里的實施例描述了通過用光照射電阻器在電子器件的制造之后改變半導體電阻器的電阻。照射加熱半導體電阻器的一部分。加熱可導致該部分的形態的熔融或固態變化。照射可被選擇以導致結晶半導體的被加熱部分形成非晶部分，或者導致非晶半導體的被加熱部分形成結晶部分。因此，電阻器的電阻可被可逆地調整到希望的值。這種實施例在活動（操作）或不活動（非操作）狀態中允許電路的可逆電阻調諧。如果希望的話，可以使用適當的電路以與可熔鏈接以類似的方式激活或去激活電子器件中的冗余電路。

這里，同素異形體指的是由半導體的原子之間的化學鍵的配置確定的元素或化合物半導體的形式。同素異形狀態指的是半導體區域的同素異形特性。具體而言，例如，半導體成分（composition）的結晶和非晶形式是半導體成分的不同的同素異形狀態。具有不同的同素異形狀態的兩個半導體也具有不同的形態。

這里，半導體區域的形態指的是該半導體區域的結構形式。以下的半導體區域例如具有不同的形態：單晶區域、非晶區域、具有第一平均晶粒尺寸的第一多晶區域和具有不同的第二平均晶粒尺寸的第二多晶區域。這里，當第一區域的平均晶粒尺寸與第二區域的平均晶粒尺寸相差約10%或更大時，第一區域和第二區域具有不同的平均晶粒尺寸。