[發(fā)明專利]電子器件及制造電子器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310185908.X
• 申請日: 2008-09-19
• 公開（公告）號: CN103296002A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: F·A·拜奧齊;J·T·卡古;J·M·德盧卡;B·J·杜特;C·馬丁
• 申請（專利權）人: 艾格瑞系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768;H01L21/268
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 肖靖

1.一種電子器件，包括：

基板；

所述基板上的電介質(zhì)層；和

位于所述基板和所述電介質(zhì)層之間的電阻鏈接，所述電阻鏈接包含具有第一電阻區(qū)域和第二電阻區(qū)域的硅半導體層，所述第一電阻區(qū)域具有第一電阻率和第一形態(tài)，并且，所述第二電阻區(qū)域具有第二電阻率和不同的第二形態(tài)，其中，所述第一電阻區(qū)域具有第一同素異形狀態(tài)，并且，所述第二電阻區(qū)域具有不同的第二同素異形狀態(tài)。

2.如權利要求1所述的電子器件，其中，所述第一同素異形狀態(tài)是所述硅半導體層的結(jié)晶同素異形體。

3.如權利要求1所述的電子器件，其中，所述第二同素異形狀態(tài)是所述硅半導體層的非晶同素異形體。

4.如權利要求1所述的電子器件，其中，所述第一電阻區(qū)域包含作為所述基板的晶格的延伸的結(jié)晶區(qū)域，并且，所述第二電阻區(qū)域包含多晶區(qū)域或非晶區(qū)域。

5.如權利要求1所述的電子器件，其中，所述第一電阻區(qū)域和所述第二電阻區(qū)域是多晶的，并且，所述第二電阻區(qū)域的平均晶粒尺寸為所述第一電阻區(qū)域的平均晶粒尺寸的10％或更小。

6.一種制造電子器件的方法，包括：

提供上面具有電介質(zhì)層的基板、和所述基板與所述電介質(zhì)之間的電阻鏈接，其中，所述電阻鏈接包含具有第一電阻率和第一形態(tài)的硅半導體層；

用電磁輻射照射所述電阻鏈接；

通過所述照射將所述電阻鏈接的一部分從所述第一形態(tài)和所述第一電阻率轉(zhuǎn)變成所述硅半導體層的不同的第二形態(tài)和第二電阻率，其中，所述第一形態(tài)具有第一同素異形狀態(tài)，并且，所述第二形態(tài)具有不同的第二同素異形狀態(tài)。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述第二形態(tài)是所述硅半導體層的非晶同素異形體。

8.如權利要求7所述的方法，還包含然后將具有所述不同的第二形態(tài)的所述電阻鏈接的所述部分的至少一部分從所述非晶同素異形體轉(zhuǎn)變成多晶同素異形體的步驟。

9.如權利要求6所述的方法，其中，所述第一同素異形狀態(tài)是所述硅半導體層的結(jié)晶同素異形體。

10.如權利要求6所述的方法，其中，所述第一電阻區(qū)域包含作為所述基板的晶格的延伸的結(jié)晶區(qū)域，并且，所述第二電阻區(qū)域包含多晶區(qū)域或非晶區(qū)域。