[發明專利]修正輔助圖案的方法有效
| 申請號: | 201310184909.2 | 申請日: | 2013-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN104166304B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發明(設計)人: | 吳宗曄;林金隆;范耀仁;簡韋瀚;蔡佳君 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 11105 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 修正 輔助 圖案 方法 | ||
1.一種修正輔助圖案的方法,包括:
由一計算機系統接收一第一布局圖案;
將該第一布局圖案分割為多個第一區域;
添加多個輔助圖案于該第一布局圖案中以形成一第二布局圖案,且定義與任一該第一區域的任一邊線接觸或間距少于一限定值的至少一該輔助圖案為一選取圖案;
將該第二布局圖案分割為多個第二區域,使該多個第二區域的邊線未接觸任一輔助圖案,且該第二區域包含的第一布局圖案與輔助圖案不同于相對應的第一區域包含的第一布局圖案與輔助圖案;
對具有該選取圖案的該第二區域進行一檢測步驟;以及
修正該第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。
2.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,還包括:
對該已修正的第二布局圖案進行至少一次光學鄰近修正以形成一已修正的第一布局圖案以及多個已修正的輔助圖案。
3.根據權利要求2所述的修正輔助圖案的方法,其中該多個已修正的輔助圖案的任一圖案的尺寸實質上小于該已修正的第一布局圖案的任一圖案的尺寸。
4.根據權利要求2所述的修正輔助圖案的方法,還包括:
由該計算機系統輸出該已修正的第一布局圖案以及該已修正的輔助圖案至一光罩;以及
使用該光罩對一材料層進行一微影制程,以形成該已修正的第一布局圖案至該材料層。
5.根據權利要求4所述的修正輔助圖案的方法,其中未形成該多個已修正的輔助圖案至該材料層。
6.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,其中將該第二布局圖案分割為多個第二區域的方法包括改變至少一該第一區域的大小以形成該第二區域。
7.根據權利要求6所述的修正輔助圖案的方法,其中各該第二區域的一邊線與相對應的該第一區域的該邊線的間距是實質上大于或等于一特定值,其中該特定值對應于輔助圖案的尺寸或者對應于輔助圖案的臨界線寬。
8.根據權利要求7所述的修正輔助圖案的方法,其中該特定值是實質上大于該多個輔助圖案中的任一該輔助圖案的一最大邊長。
9.根據權利要求7所述的修正輔助圖案的方法,其中該特定值是使用一光罩進行一微影制程時一不會被曝出的圖案的最大尺寸。
10.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,其中各該第二區域部分重迭至少一相對應的第一區域。
11.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,其中該多個第二區域的個數是實質上不等于該多個第一區域的個數。
12.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,其中將該第二布局圖案分割為多個第二區域的方法包括沿任一方向移動各該第一區域。
13.根據權利要求12所述的修正輔助圖案的方法,其中各該第二區域的一面積實質上等于相對應的各該第一區域的一面積。
14.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,其中將該第二布局圖案分割為多個第二區域的方法包括以該選取圖案為一參考點,選取一特定范圍,其中該特定范圍包括以該選取圖案的一端點為圓心,一特定值為半徑的一圓形區域,該特定值對應于輔助圖案的尺寸或者對應于輔助圖案的臨界線寬。
15.根據權利要求14所述的修正輔助圖案的方法,其中該特定值實質上大于該輔助圖案中的任一該輔助圖案的一最大邊長。
16.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法,其中該檢測步驟包括確認該選取圖案是否符合一輔助圖案的制程規則檢測的規則。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





