[發(fā)明專利]修正輔助圖案的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310184909.2 | 申請日: | 2013-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN104166304B | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳宗曄;林金隆;范耀仁;簡韋瀚;蔡佳君 | 申請(專利權(quán))人: | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 11105 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 史新宏 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 修正 輔助 圖案 方法 | ||
本發(fā)明提供一種修正輔助圖案的方法,包括下列步驟。首先,由一計算機(jī)系統(tǒng)接收一第一布局圖案,并將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域。接著,添加多個輔助圖案于第一布局圖案中以形成一第二布局圖案,且定義相鄰任一第一區(qū)域的任一邊線的至少一輔助圖案為一選取圖案,隨后,將第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域。最后,對具有選取圖案的第二區(qū)域進(jìn)行一檢測步驟,且修正第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種修正輔助圖案的方法,尤指一種在光學(xué)鄰近修正(opticalproximity correction,OPC)方法修正原始布局圖案之前,先行修正輔助圖案的方法。
背景技術(shù)
由于電子產(chǎn)品及其周邊產(chǎn)品是朝輕薄短小方向發(fā)展,在半導(dǎo)體制程中,元件縮小化與積集化是必然的趨勢,也是各界積極發(fā)展的重要課題,其中微影技術(shù)(lithography)是決定元件性能的關(guān)鍵技術(shù)。
現(xiàn)行的半導(dǎo)體制程是先將集成電路(integrated circuits)的布局圖案形成于一光罩上,隨后將光罩上的圖案藉由曝光與顯影步驟,以一定比例轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體芯片上的光阻層中,并進(jìn)一步配合相關(guān)的蝕刻制程,將元件逐步形成于半導(dǎo)體芯片上。隨著集成電路的積集度的提升,元件尺寸縮小,元件與元件間的距離也隨之縮小。然而,由于光學(xué)鄰近效應(yīng)(optical proximity effect,OPE)等因素的影響,上述元件的距離在曝光制程中已面臨到其極限。舉例來說,為了得到微小尺寸的元件,光罩的透光區(qū)的間隔(pitch)將配合元件尺寸而縮小,但若透光區(qū)之間的間隔縮小至特定范圍時(曝光波長為1/2或以下時),通過光罩的光線會發(fā)生繞射、干涉等現(xiàn)象,進(jìn)而影響轉(zhuǎn)移后圖案的分辨率,使得光阻上的圖形產(chǎn)生偏差(deviation),例如直角轉(zhuǎn)角圓形化(right-angled corner rounded)、直線末端緊縮(line end shortened)以及直線線寬增加或縮減(line width increase/decrease)等,都是常見的光學(xué)鄰近效應(yīng)所導(dǎo)致的光阻圖案缺陷。
為了解決上述的問題,已知技術(shù)藉由在光罩上集成電路的布局圖案之間形成輔助圖案(assist pattern)例如:虛置圖案(dummy pattern)或分散條(scattering bar),以減少光阻圖案缺陷的發(fā)生。而如何形成合適的輔助圖案,以進(jìn)一步于目標(biāo)層中形成預(yù)期的布局圖案實為相關(guān)技術(shù)者所欲改進(jìn)的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種修正輔助圖案的方法,以提高光罩圖案的正確度,進(jìn)而形成預(yù)期的布局圖案。
本發(fā)明的一較佳實施例是提供一種修正輔助圖案的方法,包括下列步驟。首先,由一計算機(jī)系統(tǒng)接收一第一布局圖案,并將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域。接著,添加多個輔助圖案于第一布局圖案中以形成一第二布局圖案,且定義相鄰任一第一區(qū)域的任一邊線的至少一輔助圖案為一選取圖案,隨后,將第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域。最后,對具有選取圖案的第二區(qū)域進(jìn)行一檢測步驟,且修正第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。
本發(fā)明的特點在于,對布局圖案進(jìn)行光學(xué)鄰近修正運算之前,先對布局圖案進(jìn)行兩次的分割運算,以改善添加的輔助圖案的正確性。更詳細(xì)地說,首先,對布局圖案進(jìn)行第一次分割以形成多個第一區(qū)域,并選擇相鄰第一區(qū)域的邊界的輔助圖案作為選取圖案;接著,進(jìn)行第二次分割,例如:擴(kuò)大包含選取圖案的第一區(qū)域或平移此第一區(qū)域以形成第二區(qū)域,使第二區(qū)域的邊界未重迭選取圖案,且第二區(qū)域包含的圖案不同于第一區(qū)域包含的圖案,以進(jìn)一步確認(rèn)選取圖案與相鄰圖案(尤指原先此第一區(qū)域未包含的輔助圖案)的相對關(guān)系。據(jù)此,可避免不適當(dāng)?shù)妮o助圖案的設(shè)置,提高光罩圖案的正確度,以形成預(yù)期的布局圖案。
附圖說明
圖1繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的流程圖。
圖2至圖9繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的示意圖。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





