[發明專利]半導體封裝件及其制法在審
| 申請號: | 201310183339.5 | 申請日: | 2013-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN104143537A | 公開(公告)日: | 2014-11-12 |
| 發明(設計)人: | 陳彥亨;林畯棠;廖宴逸;劉鴻汶;紀杰元;許習彰 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/14 | 分類號: | H01L23/14;H01L23/488;H01L23/522;H01L21/58;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 及其 制法 | ||
技術領域
本發明涉及一種半導體封裝件,尤指一種可防止于固晶時半導體組件偏移的嵌埋半導體組件的半導體封裝件及其制法。
背景技術
隨著電子產業的蓬勃發展,電子產品也逐漸邁向多功能、高性能的趨勢。為了滿足半導體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求,發展出晶圓級封裝(Wafer?Level?Packaging,WLP)的技術。
如圖1A至圖1D,其為現有晶圓級半導體封裝件1的制法的剖面示意圖。
如圖1A所示,形成一熱化離型膠層(thermal?release?tape)11于一承載件10上。
接著,置放多個半導體組件12于該熱化離型膠層11上,該些半導體組件12具有相對的主動面12a與非主動面12b,各該主動面12a上均具有多個電極墊120,且各該主動面12a粘著于該熱化離型膠層11上。
如圖1B所示,以模壓(molding)方式形成一封裝膠體13于該熱化離型膠層11上,以包覆該半導體組件12。
如圖1C所示,進行烘烤工藝以硬化該封裝膠體13,而同時該熱化離型膠層11因受熱后會失去粘性,所以可一并移除該熱化離型膠層11與該承載件10,以外露該半導體組件12的主動面12a。
如圖1D所示,進行線路重布層(Redistribution?layer,RDL)工藝,其形成一線路重布結構14于該封裝膠體13與該半導體組件12的主動面12a上,令該線路重布結構14電性連接該半導體組件12的電極墊120。
接著,形成一絕緣保護層15于該線路重布結構14上,且該絕緣保護層15外露該線路重布結構14的部分表面,以供結合如焊球的導電組件16。
然而,現有半導體封裝件1的制法中,該熱化離型膠層11具有撓性,且其熱膨脹系數(Coefficient?of?thermal?expansion,CTE)與該封裝膠體13注入封裝用的模具時的膠體流動所產生的側推力,將一同影響該半導體芯片12固定的精度,也就是容易使半導體組件12產生偏移,致使該半導體組件12未置于該熱化離型膠層11的置放區B上,如圖1D’所示,且當該承載件10移除后會造成該封裝膠體13翹曲(warpage)過大。故而,該線路重布結構14與該半導體組件12的電極墊120間的對位將產生偏移,當該承載件10的尺寸越大時,各該半導體組件12間的位置公差也隨之加大,而當偏移公差過大時,將使該線路重布結構14無法與該電極墊120連接,也就是對該線路重布結構14與該半導體組件12間的電性連接造成極大影響,因而造成良率過低及產品可靠度不佳等問題。
此外,現有制法中,因需使用該熱化離型膠層11,所以無法降低制造成本。
因此,如何克服上述現有技術的問題,實已成目前亟欲解決的課題。
發明內容
鑒于上述現有技術的種種缺失,本發明的主要目的為提供一種半導體封裝件及其制法,能避免該半導體組件產生偏移。
本發明的半導體封裝件,其包括:承載件,其具有相對的第一表面與第二表面,且形成有連通至該第一表面并具有底部的開口;多個導電跡線,其形成于該開口的底部、該開口的側壁與該承載件的第一表面上;第一半導體組件,其設于該開口中,該第一半導體組件具有相對的第一主動面與第一非主動面,該主動面上具有多個第一電極墊,且該第一主動面朝向該開口的底部,以令該些第一電極墊電性連接該導電跡線;第二半導體組件,其設于該第一半導體組件上,該第二半導體組件具有相對的第二主動面與第二非主動面,該第二主動面上具有多個第二電極墊,且該第二非主動面結合至該第一半導體組件的第一非主動面上,以令該第二主動面及第二電極墊外露于該開口;以及線路重布結構,其形成于該承載件的第一表面與該第二半導體組件的第二主動面上,而藉該線路重布結構電性連接該導電跡線及該第二主動面上的第二電極墊。
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