[發明專利]非易失性半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201310182861.1
• 申請日: 2005-04-20
• 公開（公告）號: CN103247341A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 李錫憲;李真燁;樸大植;金泰均;崔永準
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/16
• 分類號: G11C16/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 錢大勇

1.一種非易失性半導體存儲器件，包括：一組M個存儲塊；塊譯碼器，每個塊譯碼器與所述該組M個存儲塊之一對應，每個塊譯碼器包括用于存儲對應的塊地址的寄存器；擦除控制器，被配置為控制同時擦除所述該組M個存儲塊中的一子組N個存儲塊的多塊擦除操作，擦除控制器還被配置為在多塊擦除操作之后，響應于外部提供的擦除校驗命令并響應于N個外部提供的塊地址之一，控制對于所述該子組N個存儲塊的每個的擦除校驗操作，其中N大于1并小于或等于M（1<N≤M），擦除控制器還被配置為在多塊擦除操作期間控制塊譯碼器，使得在與所述該子組N個存儲塊對應的塊譯碼器中存儲塊地址，擦除控制器還被配置為當接收到第一多塊選擇命令時初始化與所述該子組N個存儲塊對應的每個塊譯碼器的寄存器。

2.根據權利要求1所述的器件，其中擦除控制器包括用于存儲擦除校驗操作的結果的狀態寄存器。

3.根據權利要求2所述的器件，其中狀態寄存器被配置為在接收到下一擦除校驗命令之前向外部輸出所述結果。

4.根據權利要求1所述的器件，擦除控制器還被配置為控制塊譯碼器使得在擦除校驗操作期間選擇所述該子組N個存儲塊，而不存儲塊地址。

5.一種非易失性半導體存儲器件，包括：一組M個存儲塊；擦除控制器，被配置為控制從該組M個存儲塊中同時擦除一子組N個存儲塊的多塊擦除操作，N大于1并小于或等于M（1<N≤M），擦除控制器被配置為響應于判斷電路的輸出而改變用于多塊擦除操作的時間，擦除控制器還被配置為在多塊擦除操作之后，響應于外部提供的擦除校驗命令并響應于N個外部提供的塊地址，控制對于一子組N個存儲塊的擦除校驗操作；及用于確定要被擦除的一子組N個存儲塊的判斷電路，判斷電路包括標志信號產生器，標志信號產生器被配置成每當接收到所述該子組N個存儲塊之一的塊地址就產生標志信號，判斷電路還包括計數器，計數器被配置成對標志信號的數目計數，并向擦除控制器輸出所述數目，擦除控制器被配置成響應于所述數目，控制用于多塊擦除操作的時間。

6.根據權利要求5所述的器件，其中標志信號包括脈沖。

7.根據權利要求5所述的器件，其中擦除控制器包括用于存儲擦除校驗操作的結果的狀態寄存器。

8.根據權利要求7所述的器件，其中在接收到下一擦除校驗命令之前向外部輸出狀態寄存器中的數據。

9.根據權利要求5所述的器件，還包括塊譯碼器，每個塊譯碼器與所述該組M個存儲塊之一對應。

10.根據權利要求9所述的器件，其中擦除控制器被配置為在多塊擦除操作控制塊譯碼器，使得在與所述該子組N個存儲塊對應的塊譯碼器中存儲塊地址。

11.根據權利要求10所述的器件，其中每個塊譯碼器包括用于存儲對應塊地址的寄存器。

12.根據權利要求11所述的器件，其中擦除控制器被配置為當接收到第一多塊選擇命令時，初始化與所述該子組N個存儲塊對應的每個塊譯碼器的寄存器。

13.根據權利要求5所述的器件，其中在擦除校驗操作期間，擦除控制器還被配置為控制塊譯碼器，使得在擦除校驗操作期間選擇所述該子組N個存儲塊，而不存儲塊地址。