[發明專利]一種適于大面積石墨烯無污染無褶皺的轉移方法無效
| 申請號： | 201310182429.2 | 申請日： | 2013-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN103241733A | 公開（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發明（設計）人： | 李美成;谷田生;周嬋;陳召;宋丹丹;白帆 | 申請（專利權）人： | 華北電力大學 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄觀玖 |
| 地址： | 102206 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 適于 大面積 石墨 無污染 褶皺 轉移 方法 | ||
1.一種適于大面積石墨烯無污染無褶皺的轉移方法，其特征在于：石墨烯膜隨水面液位平穩下降，使其一邊先與傾斜放置于水中的目標基底結合；隨后液面繼續下降，利用水表面張力對石墨烯膜起到的“拉展”作用，使石墨烯膜穩定平展地鋪在目標基底的預定位置上，其具體步驟如下：
a.金屬基底的腐蝕：將用化學氣相沉積法得到的“石墨烯-金屬基底”輕放于腐蝕液中，使其浮于腐蝕液表面，經過足夠時間，得到漂浮在腐蝕液表面的石墨烯膜；
b.腐蝕液的稀釋：從入水口不斷地通入超純去離子水，從排水口不斷地放出腐蝕液，入口和出口的流量相同，排水時保證液面的平穩，直至腐蝕液被全部排出；
c.放置目標基底：將目標基底固定在容器底部的支架上，目標基底與容器底平面保持適當夾角，調整支架的位置來保證石墨烯落到目標位置；
d.轉移石墨烯到目標基底：打開排水口并調節流量，保證一定的液面下降速度，使石墨烯膜隨著液面的下降平展而精準地轉移到目標基底上；
e.石墨烯的清洗干燥：用超純去離子水沖洗“石墨烯-目標基底”5～8次，在真空干燥箱中烘干，置于清潔干燥環境中保存。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：用于配制溶液和沖洗的超純去離子水電阻率在17Ω·cm以上。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟a中采用的金屬基底為能夠利用化學氣相沉積法制備石墨烯的金屬基底。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述步驟a中采用的金屬基底為銅箔或鎳箔。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟a中采用的腐蝕液為FeCl3溶液或Fe(NO3)3溶液，其濃度為0.5～3mol/L，腐蝕溫度為25℃～60℃。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟c中目標基底根據器件需要進行選擇。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述步驟c中目標基底為單晶硅片或二氧化硅。
8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟c中采用的支架傾角為30°～70°。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟d中采用的液面下降速度為0.5～3mm/s。
10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟e中采用的真空干燥箱中的溫度為30℃～70℃。
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