[發(fā)明專利]薄膜沉積設(shè)備以及用其沉積薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310181188.X
• 申請日: 2013-05-16
• 公開（公告）號(hào): CN103805941B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓政洹
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C14/54;C23C14/24;C23C14/12
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;姚志遠(yuǎn)

1.一種薄膜沉積設(shè)備，包括：

腔體，具有襯底和安裝在所述襯底上的掩模；

沉積源，安裝在所述腔體內(nèi)，向所述襯底供應(yīng)沉積氣體；以及

掩模測量單元，安裝在所述腔體內(nèi)，所述掩模測量單元移動(dòng)并跨越所述掩模以用于測量所述腔體內(nèi)的所述掩模的狀態(tài)。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述掩模測量單元包括單個(gè)測量裝置。

3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述單個(gè)測量裝置測量所述掩模的形狀精確度、孔尺寸、孔均勻度、污染水平以及定位精度。

4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述掩模測量單元包括多個(gè)測量裝置。

5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)測量裝置中的每一個(gè)分別測量形狀精確度、孔尺寸、孔均勻度、污染水平以及定位精度中的至少一個(gè)。

6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，

所述掩模被分為與所述多個(gè)測量裝置的數(shù)量相對(duì)應(yīng)的多個(gè)區(qū)域；以及

所述多個(gè)測量裝置中的每一個(gè)測量所述掩模的多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域中的形狀精確度、孔尺寸、孔均勻度、污染水平以及定位精度。

7.一種沉積薄膜的方法，包括：

將襯底和掩模安裝在包括沉積源和掩模測量單元的腔體內(nèi)，所述掩膜安裝在所述襯底上；

利用所述掩模測量單元移動(dòng)并跨越所述掩模來測量所述腔體內(nèi)的所述掩模的狀態(tài)；以及

根據(jù)測量結(jié)果在必要時(shí)更換所述掩模。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述掩模測量單元包括單個(gè)測量裝置。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，利用所述掩模測量單元移動(dòng)并跨越所述掩模來測量所述掩模的狀態(tài)包括：

利用所述單個(gè)掩模測量裝置測量所述掩模的形狀精確度、孔尺寸、孔均勻度、污染水平以及定位精度。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述掩模測量單元包括多個(gè)測量裝置。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，利用所述掩模測量單元移動(dòng)并跨越所述掩模來測量所述掩模的狀態(tài)包括：

所述多個(gè)測量裝置中的每一個(gè)分別測量所述掩模的形狀精確度、孔尺寸、孔均勻度、污染水平以及定位精度中的至少一個(gè)。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述掩模被分為與所述多個(gè)測量裝置的數(shù)量相對(duì)應(yīng)的多個(gè)區(qū)域；以及

利用所述掩模測量單元移動(dòng)并跨越所述掩模來測量所述掩模的狀態(tài)包括：

所述多個(gè)測量裝置中的每一個(gè)分別測量所述掩模的多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域中的形狀精確度、孔尺寸、孔均勻度、污染水平以及定位精度。