[發(fā)明專利]一種提高GaN基LED抗靜電能力的外延結(jié)構(gòu)及其生長方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310180371.8 | 申請日： | 2013-05-16 |
| 公開（公告）號： | CN103258927A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊奎;吳禮清;郭麗彬;李剛;牛勇 | 申請（專利權(quán)）人： | 合肥彩虹藍光科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/04 | 分類號： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230011 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 gan led 抗靜電 能力 外延 結(jié)構(gòu) 及其 生長 方法 | ||
1.一種提高GaN基LED抗靜電能力的外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)從下向上的順序依次為：襯底、低溫GaN緩沖層、GaN非摻雜層、第一個N型GaN層、多量子阱結(jié)構(gòu)MQW、多量子阱有源層、低溫P型GaN層、P型AlGaN層、高溫P型GaN層和P型接觸層，其特征在于，在所述第一個N型GaN層與多量子阱結(jié)構(gòu)MQW層之間依次插入N型ALxGa1-xN層和第二個N型GaN層，其中0.05<x<0.25。
2.一種如權(quán)利要求1所述的提高GaN基LED抗靜電能力的外延結(jié)構(gòu)的生長方法，其特征在于，在所述N型ALxGa1-xN層插入生長后，在生長第一個N型GaN層時，該第一個N型GaN層流量相對不插入N型ALxGa1-xN層的情況減少10%~20%；在插入生長所述N型ALxGa1-xN層后生長第二個N型GaN層時，該第二個N型GaN層流量與上述生長第一個N型GaN層流量相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高GaN基LED抗靜電能力的外延結(jié)構(gòu)的生長方法，其特征在于，所述N型ALxGa1-xN插入層的生長厚度保持在0-1μm之間。
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