[發明專利]顯示面板的薄膜晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201310178791.2
• 申請日: 2011-10-26
• 公開（公告）號: CN103337521A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 陳崇道;林武雄;陳勃學
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種薄膜晶體管，系形成于一基板上，該薄膜晶體管包括：

一柵極，位于該基板上；

一柵極絕緣層，位于該柵極與該基板上；

一第一保護圖案與一第二保護圖案，位于該柵極上方的該柵極絕緣層上，該第一保護圖案與該第二保護圖案的材料包括銦錫氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、氧化銦或氧化鋅；

一源極，位于該柵極絕緣層與該第一保護圖案上；

一漏極，位于該柵極絕緣層與該第二保護圖案上；

一半導體通道層，部分位于該源極與該漏極間的該柵極絕緣層上，且部分位于該源極與該漏極上；以及

一鈍化層，位于該半導體通道層、該源極與該漏極上；

其中于該源極往該漏極的一延伸方向上，該第一保護圖案的長度小于該源極的長度，且該第二保護圖案的長度小于該漏極的長度。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護圖案與該源極的長度比介于0.1至0.5之間。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護圖案與該漏極的長度比介于0.1至0.5之間。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，于該延伸方向的一垂直方向上，該第一保護圖案的一邊界與該源極的一邊界切齊，且該第二保護圖案的一邊界與該漏極的一邊界切齊。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，進一步包括一第三保護圖案，位于該半導體通道層與該鈍化層之間，其中該第三保護圖案與該半導體通道層對應設置。

6.如權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，該第三保護圖案的材料包括氮化硅、氧化硅、氧化鋁、氧化釔或氧化鈦。