[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310174968.1
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN103426900B
• 公開（公告）日: 2017-12-26
• 發明（設計）人: 李律圭;樸鮮;曹圭湜
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,姚志遠

相關申請的交叉引用

本申要求2012年5月16日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0052215號韓國專利申請的優先權，其內容通過引用整體地并入本文中。

技術領域

本發明涉及有機發光顯示裝置。

背景技術

通常，有機發光顯示裝置包括薄膜晶體管（TFT）和有機發光設備，并且當適當的驅動信號傳送到有機發光設備時，有機發光設備進行發光，從而顯示期望圖像。

為此，TFT包括有源層、柵電極和源電極及漏電極，它們都堆放在襯底上。因此，當經由襯底中形成的互連線向柵電極提供電流時，電流經有源層流入源電極及漏電極，同時電流流入與源電極及漏電極連接的有機發光設備的像素電極中。

有機發光設備包括像素電極、面向像素電極的相對電極和置于像素電極和相對電極之間的發射層。對于這種結構，當電流經由TFT流入像素電極中時，在相對電極和像素電極之間存在適當的電壓等級，因此發射層發光，從而顯示圖像。

發明內容

實施方式涉及一種有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包括薄膜晶體管（TFT）、有機發光設備、中間層和相對電極，該薄膜晶體管（TFT）包括有源層、柵電極和源電極及漏電極，有機發光設備包括連接到TFT的像素電極，中間層具有發射層，相對電極接觸部分將相對電極連接到功率互連線，并且連接到相對電極接觸部分的功率互連線包括第一互連層和第二互連層，第一和第二互連層被堆疊并且在二者之間沒有絕緣層。

第一互連層可以位于與柵電極相同的平面上。第二互連層可以由與源電極及漏電極相同的材料層形成。

有機發光顯示裝置還可以包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層位于相對電極接觸部分的功率互連線的外面，并且第一絕緣層和功率互連線之間存在間隔，第二絕緣層填充第一絕緣層和功率互連線之間的間隔。

有機發光顯示裝置還可以包括柵絕緣層和緩沖層，柵絕緣層位于有源層和柵電極之間，緩沖層位于有源層下面，并且柵絕緣層和緩沖層包括鄰近相對電極接觸部分的開口部分，其中第二絕緣層還填充柵絕緣層和緩沖層的開口部分。

第二絕緣層可以位于第二互連層的端部和相對電極之間。

第二互連層可以包圍第一互連層的端部。第二絕緣層可以位于第二互連層的端部和第一絕緣層之間。

第一互連層和第二互連層可以形成為相同的圖案。第二絕緣層可以位于第一絕緣層和第一互連層及第二互連層的端部之間。

實施方式還涉及有機發光顯示裝置的制造方法，該方法包括：在襯底的相對電極接觸部分中形成第一互連層，在第一互連層外面形成第一絕緣層，并且在第一互連層和第一絕緣層之間存在間隔，在第一互連層上形成第二互連層以形成包括多個互連層的功率互連線，在第二互連層的端部上和在功率互連線和第一絕緣層之間形成第二絕緣層，以及在第二絕緣層上形成相對電極以使相對電極接觸功率互連線。

該方法還包括形成薄膜晶體管（TFT）的有源層、柵電極、和源電極及漏電極，其中第一互連層和柵電極由相同的材料形成在同一平面中，第二互連層和源電極及漏電極由相同的材料層形成。

該方法還包括：在襯底上順序地沉積緩沖層和柵絕緣層以使柵絕緣層和緩沖層包括與相對電極接觸部分鄰近的開口部分，并且形成填充柵絕緣層和緩沖層的開口部分的第二絕緣層。

第二互連層可以包圍第一互連層的端部。第二絕緣層可以置于第二互連層的端部和第一絕緣層之間。

第二互連層可以與第一互連層相同的圖案形成在第一互連層上。第二絕緣層可以置于第一絕緣層和第一互連層及第二互連層的端部之間。

附圖簡要說明

通過參照附圖詳細地描述示例性實施方式，本發明的特征對于本領域的技術人員而言將是顯而易見的，在附圖中：

圖1是根據一個實施方式的有機發光顯示裝置的剖視圖；

圖2A-2F是根據一個實施方式的圖1的有機發光顯示裝置的制造方法的剖面圖；

圖3是根據另一實施方式的有機發光顯示裝置的剖視圖；以及

圖4A-4F是根據一個實施方式的圖3的有機發光顯示裝置的制造方法的剖面圖。

具體實施方式

一系列元件之前的諸如“至少一個”的表述用于修飾該系列的所有元件，而不是修飾該系列元件中的單個元件。

在下文中，通過參照附圖描述示例性實施方式將詳細地描述實施方式。在附圖中，相同的參考標記表示相同的部分。