[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201310174968.1 | 申請日: | 2013-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN103426900B | 公開(公告)日: | 2017-12-26 |
| 發明(設計)人: | 李律圭;樸鮮;曹圭湜 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志遠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
薄膜晶體管,包括有源層、柵電極和源電極及漏電極;
有機發光設備,包括連接到所述薄膜晶體管的像素電極、具有發射層的中間層、和相對電極;
相對電極接觸部分,位于襯底上,所述相對電極接觸部分將所述相對電極連接到功率互連線上,以及
所述功率互連線,連接到所述相對電極接觸部分上,所述功率互連線包括第一互連層和第二互連層,所述第一互連層和所述第二互連層被堆疊為所述第二互連層位于頂層且其上表面與所述相對電極接觸,在所述第一互連層和所述第二互連層之間沒有絕緣層。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第一互連層位于與所述柵電極相同的平面上,并且所述第二互連層由與所述源電極及漏電極相同的材料層形成。
3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置,還包括:
第一絕緣層,位于所述相對電極接觸部分的所述功率互連線的外面,并且在所述第一絕緣層和所述功率互連線之間具有間隔,以及
第二絕緣層,填充所述第一絕緣層和所述功率互連線之間的所述間隔。
4.如權利要求3所述的有機發光顯示裝置,還包括:
位于所述有源層和所述柵電極之間的柵絕緣層以及位于所述有源層下面的緩沖層,所述柵絕緣層和所述緩沖層包括鄰近所述相對電極接觸部分的開口部分,
其中,所述第二絕緣層還填充所述柵絕緣層和所述緩沖層的所述開口部分。
5.如權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中,所述第二絕緣層位于所述第二互連層的端部和所述相對電極之間。
6.如權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中:
所述第二互連層包圍所述第一互連層的端部,以及
所述第二絕緣層位于所述第二互連層的所述端部和所述第一絕緣層之間。
7.如權利要求5所述的有機發光顯示裝置,其中:
所述第一互連層和所述第二互連層被形成為相同的圖案,以及
所述第二絕緣層位于所述第一絕緣層和所述第一互連層及所述第二互連層的端部之間。
8.一種制造有機發光顯示裝置的方法,所述方法包括:
在襯底的相對電極接觸部分中形成第一互連層;
在所述第一互連層的外面形成第一絕緣層,其中在所述第一互連層和所述第一絕緣層之間存在間隔;
在所述第一互連層上形成第二互連層,以形成包括多個互連層的功率互連線;
在所述第二互連層的端部上和在所述功率互連線和所述第一絕緣層之間形成第二絕緣層;以及
在所述第二絕緣層上形成相對電極,以使所述相對電極接觸所述功率互連線。
9.如權利要求8所述的方法,還包括:形成薄膜晶體管的有源層、柵電極和源電極及漏電極,其中:
所述第一互連層和所述柵電極由相同的材料形成在同一平面上,以及
所述第二互連層和所述源電極及漏電極由相同的材料層形成。
10.如權利要求9所述的方法,還包括:
順序地將緩沖層和柵絕緣層沉積在所述襯底上,以使所述柵絕緣層和所述緩沖層包括與所述相對電極接觸部分鄰近的開口部分,以及
形成填充所述柵絕緣層和所述緩沖層的所述開口部分的所述第二絕緣層。
11.如權利要求8所述的方法,其中:
所述第二互連層包圍所述第一互連層的端部,以及
所述第二絕緣層置于所述第二互連層的所述端部和所述第一絕緣層之間。
12.如權利要求8所述的方法,其中:
所述第二互連層以與所述第一互連層相同的圖案形成在所述第一互連層上,以及
所述第二絕緣層置于所述第一絕緣層和所述第一互連層及所述第二互連層的端部之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





