[發明專利]半導體封裝件及其制法

在審

• 申請號: 201310174210.8
• 申請日: 2013-05-13
• 公開（公告）號: CN104134641A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 張翊峰;王隆源;蔡芳霖;劉正仁;陳宏棋
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體封裝件，其包括：

第一封裝膠體，其具有相對的第一表面與第二表面；

多個導電體，其形成于該第一封裝膠體內，并具有分別外露于該第一表面與該第二表面的第一連接部及第二連接部；

多個連接墊，其形成于該第一封裝膠體內，并外露于該第一封裝膠體的第二表面；

芯片，其嵌埋于該第一封裝膠體內，并設置于該連接墊上；以及

第一線路層，其形成于該第一封裝膠體的第一表面上，并電性連接該導電體的第一連接部。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括表面處理層，其形成于該第一線路層上。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括第一拒焊層，其形成于該第一線路層上，并外露出部分該第一線路層。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括電子組件與多個導電組件，該電子組件設置于該第一拒焊層上，并通過該導電組件電性連接該第一線路層。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括第二封裝膠體，其形成于該第一封裝膠體上方，并包覆該第一線路層、第一拒焊層、電子組件及導電組件。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括第二線路層，其形成于該第一封裝膠體的第二表面上，并電性連接該導電體的第二連接部與該連接墊。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括第二拒焊層，其形成于該第二線路層上，并外露出部分該第二線路層。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括電子組件與多個導電組件，該電子組件設置于該第二拒焊層上，并通過該導電組件電性連接該第二線路層。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝件，其特征在于，該半導體封裝件還包括第二封裝膠體，其形成于該第一封裝膠體上方，并包覆該第二線路層、第二拒焊層、電子組件及導電組件。

10.根據權利要求4或8所述的半導體封裝件，其特征在于，該電子組件為半導體芯片或半導體封裝結構。

11.一種半導體封裝件的制法，其包括：

提供具有金屬層的承載件；

形成多個連接墊及多個高于該連接墊的導電體于該金屬層上；

設置芯片于該連接墊上；

形成第一封裝膠體于該金屬層上，以包覆該連接墊、導電體及芯片，并外露出該導電體的連接部；以及

形成第一線路層于該第一封裝膠體上以電性連接該導電體的連接部。

12.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，形成該連接墊的步驟包括：

形成具有多個第一穿孔的第一阻層于該金屬層上，該第一穿孔外露出部分該金屬層；

形成該連接墊于該第一穿孔內以連接該金屬層；以及

移除該第一阻層。

13.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，形成該導電體的步驟包括：

形成具有多個第二穿孔的第二阻層于該金屬層上，該第二穿孔高于該連接墊并外露出部分該金屬層；

形成該導電體于該第二穿孔內以連接該金屬層；以及

移除該第二阻層。

14.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成表面處理層于該第一線路層上。

15.根據權利要求11所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成第一拒焊層于該第一線路層上并外露出部分該第一線路層。

16.根據權利要求15所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括設置電子組件于該第一拒焊層上，并通過多個導電組件電性連接該第一線路層。

17.根據權利要求16所述的半導體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成第二封裝膠體于該第一封裝膠體上方，以包覆該第一線路層、第一拒焊層、電子組件及導電組件。