[發明專利]一種易撕防偽超高頻RFID標簽及其制造方法

有效

• 申請號: 201310173520.8
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103295058A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 劉彩鳳;黃愛賓;胡日紅
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學;杭州美思特電子科技有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077;G06K19/02
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 周希良;徐關壽

1.一種易撕防偽超高頻RFID標簽，其特征是包括易破壞層(1)、電子芯片層(3)、天線電路層(4)、底紙層(9)，易破壞層(1)的一面粘接所述電子芯片層(3)的一面，電子芯片層(3)的另一面與所述天線電路層(4)的一面復合；所述天線電路層(4)的另一面粘接薄膜基材層(6)的一面，所述薄膜基材層(6)的另一面粘接所述的底紙層(9)。

2.如權利要求1所述的易撕防偽超高頻RFID標簽，其特征在于：易破壞層(1)采用易碎紙、糯米紙、薄層銅版紙或易破壞的高分子材料；和/或，易破壞層(1)的厚度為100～400μm。

3.如權利要求1或2所述的易撕防偽超高頻RFID標簽，其特征在于：薄膜基材層(6)的厚度為12μm～25μm。

4.一種如權利要求1-3所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其按如下步驟進行：

（1）對薄膜基材層進行強度降低處理；

（2）將薄膜基材層的一面與鋁箔的一面復合；

（3）薄膜基材的另一面通過粘合劑與離型膜支撐層復合；

（4）在鋁箔的另一表面印刷天線圖案；

（5）對鋁箔印刷天線圖案表面進行酸堿液蝕刻，水洗干燥后收卷，鋁箔形成了天線電路層；

（6）封裝芯片，即在天線電路層的表面封裝電子芯片層；

（7）將離型膜支撐層剝離，電子芯片層的外表面與易破壞層粘接，薄膜基材層的外表面粘接底紙層。

5.如權利要求4所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其特征在于：第（2）步，薄膜基材層與鋁箔采用干法復合。

6.如權利要求5所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其特征在于：干法復合采用的粘合劑為耐高溫雙組份聚氨酯膠，涂膠厚度為1～6μm。

7.如權利要求6所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其特征在于：干法復合的涂膠輥分辨率為100～200目/inch，網孔深度為20～40μm，主劑：固化劑：溶劑=10:1:6～10:1:25，烘道溫度為40℃～100℃，熟化時間為2～5天，熟化溫度為35℃～70℃。

8.如權利要求4所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其特征在于：第（4）步，采用抗酸蝕刻堿溶性油墨在鋁箔表面印刷天線圖案。

9.如權利要求4所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其特征在于：離型膜支撐層采用離型PET膜、離型OPP膜或離型PE膜。

10.如權利要求4或9所述易撕防偽超高頻RFID標簽的制造方法，其特征在于：離型膜支撐層的厚度為30～75μm。