[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310173151.2
• 申請(qǐng)日: 2013-05-10
• 公開（公告）號(hào): CN103247582A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張倉(cāng)生;郭宗裕;王自強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山東日半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;郭曉敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)，尤其是涉及一種具有高散熱效果的半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

目前的半導(dǎo)體制備方法中所設(shè)計(jì)的突波抑制器封裝體，皆采用錠粒型的環(huán)氧樹脂(epoxy)進(jìn)行封裝。而采用錠粒型環(huán)氧樹脂進(jìn)行封裝的方式需要使用模具機(jī)器進(jìn)行合模，任何封裝體樣式或形狀的改變，都必須大費(fèi)周章的修改及更換模具，導(dǎo)致很大的工時(shí)耗費(fèi)，并造成封裝體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上的自主性不佳。

半導(dǎo)體突波抑制器封裝體采用錠粒型的環(huán)氧樹脂進(jìn)行組件封裝的做法為：先將環(huán)氧樹脂加溫至軟化溫度，然后把軟化的環(huán)氧樹脂加壓注射至模具里，并持續(xù)升溫至樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)移溫度使樹脂固化。因?yàn)闃渲瑸橐淮涡怨袒镔|(zhì)，經(jīng)過玻璃化轉(zhuǎn)移溫度后的樹脂便固定成型。而為求生產(chǎn)共享性，模具往往固定為一定大小。

圖1為現(xiàn)有的軸式封裝體的剖視圖。

如圖1所示：其為目前突波保護(hù)組件PT使用的一種軸式封裝體ALP(Axial?Lead?Package)的剖面圖。這種傳統(tǒng)的封裝方式，為了考慮共享性問題與可以容納不同數(shù)量的突波保護(hù)組件PT堆棧進(jìn)行封裝，或者是以封裝不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品來(lái)達(dá)到需要的瓦特?cái)?shù)或產(chǎn)品特性，大多在軸式封裝體ALP的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)上，將其長(zhǎng)度拉長(zhǎng)至預(yù)留較長(zhǎng)的長(zhǎng)度，以方便不同產(chǎn)品共享相同的模具。

如圖1所示，突波保護(hù)組件PT的長(zhǎng)度為Y1，軸式封裝體ALP兩端通常需預(yù)留長(zhǎng)度分別為Y2及Y3的空間，使整個(gè)軸式封裝體ALP長(zhǎng)度成為Y1+Y2+Y3，其中Y2大于Y1，而且Y3大于Y1。

上述的現(xiàn)有的軸式封裝體ALP，經(jīng)常留有很大的浪費(fèi)空間，并且又須遷就現(xiàn)成模具，使設(shè)計(jì)構(gòu)想的發(fā)揮大打折扣。因此，便迫切需要設(shè)計(jì)一個(gè)高散熱性、高可靠度、高穩(wěn)定性及高設(shè)計(jì)彈性的半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種具有高散熱性、高可靠度、高穩(wěn)定性及高設(shè)計(jì)彈性的半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的：

一種半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、突波抑制器、涂覆層、保護(hù)層、第一引線和第二引線，所述的突波抑制器為一PN接合型半導(dǎo)體晶粒，其設(shè)置在第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片中間，且分別與第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片以焊錫導(dǎo)電相連接，所述的涂覆層包覆在所述的第一導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片和突波抑制器的外部，而所述的保護(hù)層則包覆在涂覆層的外部，所述的涂覆層的厚度小于突波抑制器的長(zhǎng)度，而所述的第一引線的一端與第一導(dǎo)電片連接，另一端穿過涂覆層和保護(hù)層露在外部，同樣所述的第二導(dǎo)線的一端與第二導(dǎo)電片連接，另一端穿過涂覆層和保護(hù)層露在外部。

此外，還提供一種半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片、突波抑制器、涂覆層、保護(hù)層、第一引線和第二引線，所述的突波抑制器包括至少兩個(gè)PN接合型半導(dǎo)體晶粒和設(shè)置在相鄰的PN接合型半導(dǎo)體晶粒之間且通過焊錫分別與相鄰的PN接合型半導(dǎo)體晶粒電性相固接的導(dǎo)電銅片，所述的突波抑制器設(shè)置在第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片中間，且分別與第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片以焊錫導(dǎo)電相連接，所述的涂覆層包覆在所述的第一導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片和突波抑制器的外部，而所述的保護(hù)層則包覆在涂覆層的外部，所述的涂覆層的厚度小于突波抑制器的長(zhǎng)度，而所述的第一引線的一端與第一導(dǎo)電片連接，另一端穿過涂覆層和保護(hù)層露在外部，同樣所述的第二導(dǎo)線的一端與第二導(dǎo)電片連接，另一端穿過涂覆層和保護(hù)層露在外部。

其中，上述的第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片均為銅片。

上述的涂覆層為凡立水（varnish）層，具有絕緣、防水、耐高溫的功能。

上述的保護(hù)層材質(zhì)為一次性固體粉末型環(huán)氧樹脂。

而上述的第一引線和第二引線則均為實(shí)心銅線。

本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明所述的保護(hù)層厚度大幅減小，達(dá)到了更佳的散熱效果；此外，本發(fā)明不須使用模具，達(dá)到節(jié)省成本并具有更好的生產(chǎn)便利性和設(shè)計(jì)靈活性；且本發(fā)明具有絕緣、防水、耐高溫，以及更好的可靠度的特點(diǎn)。

附圖說(shuō)明??

圖1為現(xiàn)有的軸式封裝體的剖視圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所述的一種半導(dǎo)體突波抑制器封裝體結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例所述的第一導(dǎo)電片和第二導(dǎo)電片剖視圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例所述的突波抑制器剖視圖；

圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例所述的突波抑制器剖視圖；

圖6為本發(fā)明一實(shí)施例所述的涂覆層剖視圖；