[發明專利]一種半導體突波抑制器封裝體結構

有效

• 申請號: 201310173151.2
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN103247582A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 張倉生;郭宗裕;王自強
• 申請（專利權）人: 昆山東日半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/07
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林;郭曉敏

1.一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，包括第一導電片、第二導電片、突波抑制器、涂覆層、保護層、第一引線和第二引線，所述的突波抑制器為一PN接合型半導體晶粒，其設置在第一導電片和第二導電片中間，且分別與第一導電片和第二導電片以焊錫導電相連接，所述的涂覆層包覆在所述的第一導電片、第二導電片和突波抑制器的外部，而所述的保護層則包覆在涂覆層的外部，所述的涂覆層的厚度小于突波抑制器的長度，而所述的第一引線的一端與第一導電片連接，另一端穿過涂覆層和保護層露在外部，同樣所述的第二導線的一端與第二導電片連接，另一端穿過涂覆層和保護層露在外部。

2.根據權利要求1所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的第一導電片和第二導電片均為銅片。

3.根據權利要求1或2所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的涂覆層為凡立水層。

4.根據權利要求1或2所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的保護層材質為一次性固體粉末型環氧樹脂。

5.根據權利要求1或2所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的第一引線和第二引線均為實心銅線。

6.一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，包括第一導電片、第二導電片、突波抑制器、涂覆層、保護層、第一引線和第二引線，所述的突波抑制器包括至少兩個PN接合型半導體晶粒和設置在相鄰的PN接合型半導體晶粒之間且通過焊錫分別與相鄰的PN接合型半導體晶粒電性相固接的導電銅片，所述的突波抑制器設置在第一導電片和第二導電片中間，且分別與第一導電片和第二導電片以焊錫導電相連接，所述的涂覆層包覆在所述的第一導電片、第二導電片和突波抑制器的外部，而所述的保護層則包覆在涂覆層的外部，所述的涂覆層的厚度小于突波抑制器的長度，而所述的第一引線的一端與第一導電片連接，另一端穿過涂覆層和保護層露在外部，同樣所述的第二導線的一端與第二導電片連接，另一端穿過涂覆層和保護層露在外部。

7.根據權利要求6所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的第一導電片和第二導電片均為銅片。

8.根據權利要求6或7所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的涂覆層為凡立水層。

9.根據權利要求6或7所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的保護層材質為一次性固體粉末型環氧樹脂。

10.根據權利要求6或7所述的一種半導體突波抑制器封裝體結構，其特征在于，所述的第一引線和第二引線均為實心銅線。