[發(fā)明專利]半導體器件以及在FO-WLCSP中形成雙側互連結構的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310170374.3
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN103681362B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設計）人: 林耀劍;陳康
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/528
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張懿;王忠忠

1.一種制作半導體器件的方法，其包括：

提供襯底，所述襯底包括在所述襯底的表面上形成的第一導電層；

在所述襯底的所述表面上形成多個引線柱；

將半導體小片安裝到所述引線柱之間的所述襯底的表面上；

在與所述襯底相對的所述半導體小片的表面上形成第一互連結構；

提供載體；

將所述襯底、引線柱、半導體小片和第一互連結構布置在所述載體上，其中所述第一互連結構朝所述載體來定向；

將第一密封劑沉積在所述載體、襯底、半導體小片和第一互連結構上；

去除所述載體；以及

在所述第一密封劑和第一互連結構上形成第二互連結構，并且在去除所述載體后所述第二互連結構電連接到所述引線柱。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包括：

在所述半導體小片周圍沉積第二密封劑；以及

在所述半導體小片和第二密封劑上形成所述第一互連結構。

3.根據權利要求1所述的方法，其還包括從所述第一互連結構上去除所述第一密封劑的一部分。

4.根據權利要求1所述的方法，其還包括從所述襯底上去除所述第一密封劑的一部分。

5.一種制作半導體器件的方法，其包括：

提供第一互連結構；

提供半導體小片；

將所述半導體小片安裝到所述第一互連結構上；

在所述第一互連結構上形成多個柱形凸起；

將所述第一互連結構、半導體小片以及柱形凸起布置在載體上，其中所述半導體小片位于所述載體與所述第一互連結構之間；

將密封劑沉積在所述第一互連結構、半導體小片和柱形凸起上；

在沉積所述密封劑之后去除所述載體；以及

在去除所述載體之后在所述密封劑和半導體小片上形成第二互連結構，其中所述半導體小片布置在所述第一互連結構和所述第二互連結構之間。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括在沉積所述密封劑之前通過下列方式在所述半導體小片上形成第三互連結構：

在所述半導體小片上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一導電層；以及

在所述第一導電層上形成第二絕緣層。

7.根據權利要求6所述的方法，其還包括通過激光直接燒蝕去除所述第一絕緣層的一部分。

8.根據權利要求6所述的方法，其還包括：

在所述第二絕緣層上形成第二導電層；以及

在所述第二導電層上形成第三絕緣層。

9.根據權利要求5所述的方法，其中形成所述第二互連結構包括：

在所述密封劑和半導體小片上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一導電層，其中所述第一導電層接觸所述柱形凸起；

在所述第一絕緣層和第一導電層上形成第二絕緣層；以及

在所述第二絕緣層和第一導電層上形成導電凸起。

10.一種半導體器件，其包括：

襯底；

形成在所述襯底上的垂直互連結構；

安裝到所述襯底上的半導體小片；

形成在所述半導體小片上的積層互連結構，其中所述積層互連結構包括第一導電層和布置在所述第一導電層上的絕緣層；

沉積在所述襯底、半導體小片、積層互連結構和垂直互連結構上的第一密封劑，其中所述第一導電層從所述第一密封劑暴露，其中所述第一密封劑覆蓋與所述半導體小片相對的所述襯底的表面；以及

形成在所述第一密封劑和積層互連結構上的第二互連結構。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中所述襯底包括形成在所述襯底的第一和第二相反表面上的第二導電層和第三導電層。