[發明專利]半導體器件以及在FO-WLCSP中形成雙側互連結構的方法

有效

• 申請號: 201310170374.3
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN103681362B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 林耀劍;陳康
• 申請（專利權）人: 新科金朋有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/528
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張懿;王忠忠

本發明的名稱為半導體器件以及在FO?WLCSP中形成雙側互連結構的方法。一種半導體器件具有襯底，所述襯底包括形成在所述襯底的第一和第二相反表面上的第一和第二導電層。多個引線柱或柱形凸起被形成在所述襯底上。半導體小片被安裝到所述引線柱之間的所述襯底上。第一密封劑被沉積在所述半導體小片周圍。第一互連結構被形成在所述半導體小片和第一密封劑上。第二密封劑被沉積在所述襯底、半導體小片和第一互連結構上。所述第二密封劑能夠被形成在所述半導體小片的一部分和所述襯底的側表面上。所述第二密封劑的一部分被去除以暴露所述襯底和第一互連結構。第二互連結構被形成在所述第二密封劑和第一互連結構上并且與所述引線柱電耦合。分立半導體器件能夠被形成在所述互連結構上。

國內優先權的聲明

本申請要求2012年9月14日提交的、申請號為61/701,366的美國臨時申請的權益，該申請通過引用并入本文。

相關申請的交叉引用

本申請與序號13/832,118、代理人案號2515.0424、題為“Semiconductor Deviceand Method of Forming Build-up Interconnect Structure over Carrier forTesting at Interim stages (半導體器件以及在載體上形成積層互連結構用于在中間階段進行測試的方法)”的美國專利申請相關。本申請還與序號13/832,205、代理人案號2515.0408、題為“Semiconductor Device and Method of Forming Dual-SidedInterconnect Structures in Fo-WLCSP (半導體器件以及在Fo-WLCSP中形成雙側互連結構的方法)”的美國專利申請相關。

技術領域

本申請一般地涉及半導體器件，并且更具體地，涉及一種半導體器件以及在Fo-WLCSP中形成雙側互連結構的方法。

背景技術

半導體器件通常在現代電子產品中被發現。半導體器件在電部件的數量和密度方面各不相同。分立半導體器件通常包含一種類型的電部件，例如發光二極管(LED)、小信號晶體管、電阻器、電容器、電感器以及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。集成半導體器件典型地包含數百到數百萬個電部件。集成半導體器件的示例包括微控制器、微處理器、電荷耦合器件(CCD)、太陽能電池以及數字微鏡器件(DMD)。

半導體器件執行范圍廣泛的功能，諸如信號處理、高速計算、發射及接收電磁信號、控制電子器件、將日光轉換為電力以及創建用于電視顯示的視覺投影。半導體器件在娛樂、通信、功率變換、網絡、計算機以及消費品領域中被發現。半導體器件還在軍事應用、航空、汽車、工業控制器以及辦公設備中被發現。

半導體器件利用了半導體材料的電特性。半導體材料的結構允許它的電導率通過電場或基電流的施加或經由摻雜工藝來操縱。摻雜將雜質引入半導體材料中以操縱并且控制半導體器件的電導率。

半導體器件包含有源和無源的電結構。包括雙極型和場效應晶體管的有源結構控制電流的流動。通過改變摻雜的程度和電場或基電流的施加，晶體管或者促進或者限制電流的流動。包括電阻器、電容器和電感器的無源結構在電壓與電流之間建立對于執行各種電功能所必需的關系。無源和有源結構被電連接以形成電路，這使半導體器件能夠執行高速操作及其他有用的功能。

半導體器件通常使用兩種復雜的制造工藝，即前端制造和后端制造來制造，所述每種工藝都潛在地涉及數百個步驟。前端制造涉及多個小片在半導體晶片的表面上的形成。每個半導體小片通常是一致的并且包含通過電連接有源和無源部件所形成的電路。后端制造涉及從完成的晶片分割(singulate)出單獨的半導體小片并且對所述小片進行封裝以提供結構支撐和環境隔離。在本文中所使用的術語“半導體小片”指詞的單數形式和復數形式兩者，并且相應地，能夠指單個半導體器件和多個半導體器件兩者。