[發明專利]一種Ti-Si-C納米復合薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 201310169795.4 | 申請日： | 2013-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN103225061A | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 姜金龍;朱維君;黃浩;陳娣;王瓊;楊華;魏智強 | 申請（專利權）人： | 蘭州理工大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 蘭州振華專利代理有限責任公司 62102 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 730050 *** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ti si 納米 復合 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Ti-Si-C納米復合薄膜的制備方法，其步驟為：
（1）將TiSi條和石墨條按照1:1～1:13比例拼裝成復合靶；
（2）將分別在乙醇和丙酮中超聲清洗過的單晶硅和不銹鋼片置于非平衡中頻磁控濺射薄膜沉積系統中，抽真空至≤3.0×10-3?Pa，通入氬氣使壓強至0.6～1.5?Pa；
（3）打開脈沖偏壓電源，調節偏壓為-800～-1000?V，占空比50%～80%，用氬等離子體對硅片和不銹鋼表面進行清洗活化；
（4）調節氬氣流量使沉積室壓強為0.5～1.0?Pa，打開中頻電源濺射復合靶材，將電流調節至1.0～2.5?A，濺射電壓為400～500?V，最后，調節脈沖偏壓為-100～-1000?V，占空比為10%～80%，制備納米復合薄膜。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘭州理工大學，未經蘭州理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310169795.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：X射線機現場自動檢測裝置
- 下一篇：顯示器以及顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
