[發明專利]磁頭測試方法及測試裝置有效
| 申請號: | 201310169758.3 | 申請日: | 2013-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN104143343B | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發明(設計)人: | 林浩基;李文杰;雷卓文;陳華俊;丁菊仁;倪榮光;梁卓榮;關韻妍 | 申請(專利權)人: | 新科實業有限公司 |
| 主分類號: | G11B5/455 | 分類號: | G11B5/455 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 中國香港新界沙田香*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁頭 測試 方法 裝置 | ||
本發明公開一種磁頭的測試方法,包括以下步驟:(1)以與所述縱向偏壓場相同的第一方向向所述磁頭施加具有恒定強度的第一磁場,同時以穿過所述空氣承載面的第二方向施加具有變化強度的第二磁場,并測量第一噪聲;(2)以與所述第一方向相反的第三方向向所述磁頭施加具有恒定強度的第三磁場,同時施加具有所述第二方向的所述第二磁場,并測量第二噪聲;(3)分析所述第一噪聲和所述第二噪聲之間的噪聲變化。本發明能準確檢測出具有不良噪聲特性及不穩定性能的缺陷磁頭。
技術領域
本發明涉及一種測試磁頭性能的方法,尤其涉及一種磁頭的噪聲測試方法,從而檢測出缺陷磁頭,以及一種噪聲測試裝置。
背景技術
隨著磁盤驅動裝置的容量逐漸增加、尺寸逐漸縮小,當前需要更高靈敏度和高分辨率的薄膜型磁頭迎合此需求。例如,現廣泛應用的巨磁效應(GMR)薄膜型磁頭,其具有的GMR讀頭元件包括由磁化固定層和磁化自由層等的多層結構;又如現正投入實際應用的隧道磁阻效應(TMR)薄膜型磁頭,其具有更高靈敏度和更高分辨率的TMR讀頭元件。
當前,磁阻(magnetoresistive,MR)讀頭由于其內嵌有一個更高靈敏度的MR元件而廣泛應用在主流磁頭中。磁頭在使用前,必須進行一系列的性能測試,如動態飛行高度(dynamic flying height,DFH)性能、信噪比(Signal-to-Noise Ratio,SNR)性能、可靠性、穩定性等。特別地,當噪聲產生時,磁頭的性能被影響,例如,飛行高度不穩定且難以控制,從而降低磁頭穩定性,進而降低磁頭讀取性能。
因此,在磁頭產品投入使用之前必須進行噪聲測試。其中一種常用的方法是通過測量響應于外加磁場而產生的噪聲從而判斷磁頭是否合格。由此,可獲得磁頭的噪聲圖并測量出該磁頭的噪聲水平,從而判斷該磁頭是否合格。
下述方法是一種通過施加與縱向偏壓場相同方向的外部磁場而進行測試MR讀頭的傳統方法。如圖1所示,該MR讀頭10包括兩個硬磁112、層夾于兩個硬磁112之間的MR元件114、以及放置于MR元件114和硬磁112兩邊的兩個屏蔽層116。該MR元件114包括第一鐵磁層121、第二鐵磁層122以及與第二鐵磁層122物理接觸的反鐵磁層(anti-ferromagnetic,AFM)122以提供在這些層體的界面處交換耦合而產生的交換偏壓磁場。由于第二鐵磁層122的磁化方向由交換耦合而被約束和保持,因此該第二鐵磁層122也被稱作“釘扎層”122。一般而言,第一鐵磁層121的磁化方向受控于硬磁112提供的縱向偏壓磁場。當施加在MR讀頭上的外部磁場足夠大以補償縱向偏壓磁場,則第一鐵磁層121的磁化方向則會相應于該外部磁場而發生自由旋轉,因此該第一鐵磁層121也被稱作“自由層”121。該自由層121的磁化方向在平行于或反平行于釘扎層122的磁化方向上變化,從而測量到MR讀頭的特性。
在MR讀頭中,縱向偏壓場的強度會影響由磁疇邊緣的浮動或位移而產生的噪聲。若施加到自由層的縱向偏壓場過小,則噪聲很容易產生;若施加到自由層的縱向偏壓場過大,則自由層的磁化方向的改變顯得十分困難,從而使MR讀頭的靈敏度降低。因此,利用與縱向偏壓場相同的測試磁場十分難以控制,而且測試結果不準確,測試效率較低。
因此,亟待一種改進的磁頭測試方法及測試裝置,以克服上述缺陷。
發明內容
本發明的一個目的在于提供一種磁頭的測試方法,其能準確檢測出具有不良噪聲特性及不穩定性能的缺陷磁頭。
本發明的另一個目的在于提供一種磁頭的測試裝置,其能準確檢測出具有不良噪聲特性及不穩定性能的缺陷磁頭。
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