[發明專利]帶電粒子束透鏡

無效

• 申請號: 201310168505.4
• 申請日: 2013-05-09
• 公開（公告）號: CN103426707A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 鹽澤崇史
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J37/12
• 分類號: H01J37/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

技術領域

實施例的一個公開的方面涉及用于使用帶電粒子束的裝置中的帶電粒子束光學系統的技術領域，特別地，涉及用于曝光裝置中的帶電粒子束透鏡。

背景技術

電子束曝光裝置使用用于控制電子束的光學特性（optical?characteristics）的電子光學器件。存在兩種類型即電磁型和靜電型的電子透鏡。與電磁型相比，靜電型由于不需要設置線圈芯因而適于小型化。

另一方面，在不使用掩模的情況下用多個電子束繪制圖案的多束系統是一種已知的電子束曝光技術。由于多束系統中的射束的數量與設置在曝光裝置中的電子透鏡的陣列的數量對應，因此，需要更高的陣列密度以增加產出量。

由于在電極之間施加電壓，因此，靜電型帶電粒子透鏡需要電極之間的絕緣性能（高耐壓性能）。為了增強帶電粒子束透鏡的耐壓性能，已知的方法通過在夾在電極基板之間的絕緣體基板的內壁上設置高電阻材料以電連接電極基板來防止夾在電極基板之間的絕緣體的表面的帶電（參見日本專利公開No.2001-118491）。帶電粒子束透鏡以外的領域中的另一已知的配置是用高電阻膜覆蓋電子束裝置的間隔件的配置（參見日本專利公開No.2000-311633）。

隨著曝光裝置的產出量和曝光圖案的清晰度進一步增加，帶電粒子束透鏡需要更高的電場。但是，可能存在常規的帶電粒子束透鏡有時介電耐壓性能不足由此導致放電的情況。在日本專利公開No.2001-118491中公開澄清了：該放電是由以下描述的電極與高電阻膜之間的界面處的電場集中（concentration）導致的，不是由散射帶電粒子所引起的絕緣體的表面的帶電導致的。由于在裝置的制造過程和維護期間暴露于氣氛，陰極和陽極通過高電阻膜電連接在一起的靜電型帶電粒子束透鏡有時在電極與高電阻膜之間的界面處產生氧化物膜。當在電極之間施加電場時，由于在界面處產生的氧化物膜部分的高電阻和連接不良，電場集中于界面處，由此因電介質擊穿而導致放電。

發明內容

實施例的一個公開的方面提供一種帶電粒子束透鏡，該帶電粒子束透鏡包括：至少一個板狀陽極；至少一個板狀陰極；和設置在陽極與陰極之間的至少一個絕緣體，其中，絕緣體、陽極和陰極具有帶電束從其中通過的至少一個通道部分。高電阻膜在絕緣體的內側面（所述內側面形成通道部分）和絕緣體的最外側面中的至少一個上形成。陽極和陰極通過高電阻膜被電連接在一起。陽極和高電阻膜、陰極和高電阻膜分別包含相同的金屬或半導體元素并具有不同的電阻值。

并且，一個實施例提供一種帶電粒子束透鏡，該帶電粒子束透鏡包括：至少一個板狀陽極；至少一個板狀陰極；和設置在陽極與陰極之間的至少一個絕緣體，其中，絕緣體、陽極和陰極具有帶電束從其中通過的至少一個通道部分。高電阻膜在絕緣體的內側面（所述內側面形成通道部分）和絕緣體的最外側面中的至少一個上形成。高電阻膜通過導電膜與陽極和陰極電連接。導電膜和高電阻膜包含相同的金屬或半導體元素并具有不同的電阻值。

根據一些實施例，可以抑制由于陽極和陰極與高電阻膜之間的界面處或導電膜與高電阻膜之間的界面處的電阻增加和連接不良導致的電場集中，并由此可抑制放電的產生。結果，帶電粒子束透鏡的特性被長期穩定化。

從參照附圖對示例性實施例的以下描述，本發明的其它特征將變得清晰。

附圖說明

圖1A是示出根據第一實施例的帶電粒子束透鏡的配置的截面圖。

圖1B是由圖1A中的虛線包圍的區域IB的放大圖。

圖1C是不應用本公開的情況下的區域IC的放大圖。

圖1D是示出第一實施例的Einzel透鏡的配置的示圖。

圖2A是示出根據第二實施例的帶電粒子束透鏡的配置的截面圖。

圖2B是示出第二實施例的Einzel透鏡的配置的示圖。

圖3A是示出根據第三實施例的帶電粒子束透鏡的配置的截面圖。

圖3B是由圖3A中的虛線包圍的區域IIIB的放大圖。

圖3C是示出圖3B的配置中的等勢線的示圖。

圖3D是示出第三實施例的Einzel透鏡的配置的示圖。

具體實施方式