[發明專利]帶電粒子束透鏡無效
| 申請號： | 201310168505.4 | 申請日： | 2013-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN103426707A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 鹽澤崇史 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/12 | 分類號： | H01J37/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 楊小明 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 帶電 粒子束 透鏡 | ||
1.一種帶電粒子束透鏡，包括：
至少一個板狀陽極；
至少一個板狀陰極；和
設置在所述陽極與所述陰極之間的至少一個絕緣體，其中，所述絕緣體、所述陽極和所述陰極具有帶電束從其中通過的至少一個通道部分，
其中，高電阻膜被形成在所述絕緣體的形成所述通道部分的內側面和所述絕緣體的最外側面中的至少一個上；
所述陽極和所述陰極通過所述高電阻膜被電連接在一起，并且，
所述陽極和所述高電阻膜、所述陰極和所述高電阻膜分別包含相同的金屬或半導體元素并具有不同的電阻值。
2.一種帶電粒子束透鏡，包括：
至少一個板狀陽極；
至少一個板狀陰極；和
設置在所述陽極與所述陰極之間的至少一個絕緣體，其中，所述絕緣體、所述陽極和所述陰極具有帶電束從其中通過的至少一個通道部分，
其中，高電阻膜被形成在所述絕緣體的形成所述通道部分的內側面和所述絕緣體的最外側面中的至少一個上；
所述高電阻膜通過導電膜與所述陽極和所述陰極電連接，并且，
所述導電膜和所述高電阻膜包含相同的金屬或半導體元素并具有不同的電阻值。
3.根據權利要求1或2的帶電粒子束透鏡，其中，
所述陽極的外周側面被設置在所述絕緣體的最外側面以內，
所述陰極的外周側面被設置在所述陽極的外周側面以外。
4.根據權利要求1或2的帶電粒子束透鏡，其中，所述陽極和所述陰極由金屬或半導體制成。
5.根據權利要求4的帶電粒子束透鏡，其中，所述高電阻膜由金屬氧化物、半導體氧化物、金屬氮化物和半導體氮化物中的一種制成。
6.根據權利要求2的帶電粒子束透鏡，其中，所述導電膜由金屬或半導體制成。
7.根據權利要求6的帶電粒子束透鏡，其中，所述陽極和所述陰極由與所述導電膜的材料不同的材料制成。
8.根據權利要求1或2的帶電粒子束透鏡，其中，所述高電阻膜具有比所述陽極的電阻值和所述陰極的電阻值高的電阻值，并具有大于或等于1×104[Ω·cm]并且小于或等于1×1014[Ω·cm]的體積電阻率。
9.根據權利要求7的帶電粒子束透鏡，其中，所述導電膜具有比所述陽極和所述陰極的電阻值低的電阻值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳能株式會社，未經佳能株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310168505.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于在未掩蔽區域和預先掩蔽區域處加工晶片的方法
- 下一篇：表面安裝電感器
